深圳飛通光電股份有限公司10.5期間承擔(dān)的國(guó)家“863”項(xiàng)目:10Gb/s光接收組件”子項(xiàng)10GHzPD芯片目前又取得重大進(jìn)展,在前期10GHzPD芯片的基礎(chǔ)上(主要是偏置電壓較高,約10V),通過(guò)優(yōu)化外延材料結(jié)構(gòu),目前又成功研制出低偏壓下使用的實(shí)用化10GHzPD芯片,該芯片用同軸耦合封裝形式做出的測(cè)試器件,用8703光波無(wú)件分析儀測(cè)試,在3V偏壓下的3dB帶寬達(dá)到10GHz。
芯片其它主要技術(shù)指標(biāo)如下:響應(yīng)度大于0.75A/W暗最流小于0.5nA,擊穿電壓30V以上。芯片帶寬受封裝影響,實(shí)際裸芯片的帶寬應(yīng)優(yōu)于測(cè)試值。該芯片主要用于10Gb/s的光接收組件,也可用于其它高速光信號(hào)處理。