深圳飛通光電股份有限公司10.5期間承擔的國家“863”項目:10Gb/s光接收組件”子項10GHzPD芯片目前又取得重大進展,在前期10GHzPD芯片的基礎上(主要是偏置電壓較高,約10V),通過優(yōu)化外延材料結(jié)構(gòu),目前又成功研制出低偏壓下使用的實用化10GHzPD芯片,該芯片用同軸耦合封裝形式做出的測試器件,用8703光波無件分析儀測試,在3V偏壓下的3dB帶寬達到10GHz。
芯片其它主要技術(shù)指標如下:響應度大于0.75A/W暗最流小于0.5nA,擊穿電壓30V以上。芯片帶寬受封裝影響,實際裸芯片的帶寬應優(yōu)于測試值。該芯片主要用于10Gb/s的光接收組件,也可用于其它高速光信號處理。