SiFotonics推出低功耗高增益的25G TIA芯片

  ICC訊 硅光技術(shù)國際領先企業(yè)之一的SiFotonics近期宣布，成功推出針對自有Ge/Si PD和APD分別設計的兩款25G TIA芯片。該TIA芯片具有低功耗，高增益，高溫特性好的優(yōu)點，搭配SiFotonics自有的PD或APD 測試的ROSA性能均能滿足相關(guān)行業(yè)指標要求。針對APD應用設計的TIA內(nèi)部集成了特殊的高壓偏置電路，有利于進一步提高ROSA性能，降低封裝成本。這兩款TIA芯片將可以廣泛用于5G 前傳，數(shù)據(jù)中心和未來的25G-PON等市場。

  SiFotonics研發(fā)副總Emily介紹說：“我們此次兩款TIA，分別針對SiFotonics的PD和APD優(yōu)化設計, 以常溫大約90mW低功耗，實現(xiàn)高達9K典型值小信號增益;通過適當?shù)母邷匮a償，確保較低的高溫劣化;提供不同的封裝方式，來適應不同打線和PD/APD的電容等帶來的帶寬變化。 我們相信這兩款芯片會提供客戶更多的TIA選擇來搭配目前公司大量出貨的Ge/Si 探測器”。

  SiFotonics首席執(zhí)行官CEO和創(chuàng)始人潘棟博士評論：“隨著硅光芯片的大量應用， 針對硅光芯片自身特性的電芯片的Co design 變得越來越重要，這次是提高總體性能的重要一步， 一方面針對硅光芯片的特殊性設計，一方面進一步降低功耗和相應的組件數(shù)量， 我們正在把這些設計經(jīng)驗應用到更高速率的IC設計上，來搭配我們下一代400G集成硅光芯片，從而給客戶提供更好的選擇來適應不同的應用場景”。

  SiFotonics Technologies是一家通過先進的硅光芯片、器件及集成電路為超高速數(shù)據(jù)中心和5G無線光網(wǎng)絡市場提供解決方案的供應商。SiFotonics成立于2007年，在南京、北京和上海設有技術(shù)研發(fā)中心和生產(chǎn)基地, 同時在Boston/San Jose/香港設有辦公室。 公司網(wǎng)址：www.sifotonics.com