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SiFotonics推出低功耗高增益的25G TIA芯片

摘要:硅光技術(shù)國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)之一的SiFotonics近期宣布,成功推出針對(duì)自有Ge/Si PD和APD分別設(shè)計(jì)的兩款25G TIA芯片。該TIA芯片具有低功耗,高增益,高溫特性好的優(yōu)點(diǎn),搭配SiFotonics自有的PD或APD 測(cè)試的ROSA性能均能滿足相關(guān)行業(yè)指標(biāo)要求。

  ICC訊 硅光技術(shù)國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)之一的SiFotonics近期宣布,成功推出針對(duì)自有Ge/Si PD和APD分別設(shè)計(jì)的兩款25G TIA芯片。該TIA芯片具有低功耗,高增益,高溫特性好的優(yōu)點(diǎn),搭配SiFotonics自有的PD或APD 測(cè)試的ROSA性能均能滿足相關(guān)行業(yè)指標(biāo)要求。針對(duì)APD應(yīng)用設(shè)計(jì)的TIA內(nèi)部集成了特殊的高壓偏置電路,有利于進(jìn)一步提高ROSA性能,降低封裝成本。這兩款TIA芯片將可以廣泛用于5G 前傳,數(shù)據(jù)中心和未來的25G-PON等市場(chǎng)。

  SiFotonics研發(fā)副總Emily介紹說:“我們此次兩款TIA,分別針對(duì)SiFotonics的PD和APD優(yōu)化設(shè)計(jì), 以常溫大約90mW低功耗,實(shí)現(xiàn)高達(dá)9K典型值小信號(hào)增益;通過適當(dāng)?shù)母邷匮a(bǔ)償,確保較低的高溫劣化;提供不同的封裝方式,來適應(yīng)不同打線和PD/APD的電容等帶來的帶寬變化。 我們相信這兩款芯片會(huì)提供客戶更多的TIA選擇來搭配目前公司大量出貨的Ge/Si 探測(cè)器”。

  SiFotonics首席執(zhí)行官CEO和創(chuàng)始人潘棟博士評(píng)論:“隨著硅光芯片的大量應(yīng)用, 針對(duì)硅光芯片自身特性的電芯片的Co design 變得越來越重要,這次是提高總體性能的重要一步, 一方面針對(duì)硅光芯片的特殊性設(shè)計(jì),一方面進(jìn)一步降低功耗和相應(yīng)的組件數(shù)量, 我們正在把這些設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)應(yīng)用到更高速率的IC設(shè)計(jì)上,來搭配我們下一代400G集成硅光芯片,從而給客戶提供更好的選擇來適應(yīng)不同的應(yīng)用場(chǎng)景”。

  SiFotonics Technologies是一家通過先進(jìn)的硅光芯片、器件及集成電路為超高速數(shù)據(jù)中心和5G無線光網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)提供解決方案的供應(yīng)商。SiFotonics成立于2007年,在南京、北京和上海設(shè)有技術(shù)研發(fā)中心和生產(chǎn)基地, 同時(shí)在Boston/San Jose/香港設(shè)有辦公室。 公司網(wǎng)址:www.sifotonics.com

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