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臺積電首秀7nm自研芯片:4核A72頻率高達4GHz

摘要:在本月初于日本東京舉辦的VLSI Symposium(超大規(guī)模集成電路研討會)期間,臺積電展示了自己設計的一顆小芯片(chiplet)。基本參數(shù)上,該芯片采用7nm工藝,4.4x6.2mm(27.28 mm2),CoWos(晶圓基底封裝),雙芯片結構,其一內(nèi)建4個Cortex A72核心,另一內(nèi)建6MiB三緩。

  ICCSZ訊 在本月初于日本東京舉辦的VLSI Symposium(超大規(guī)模集成電路研討會)期間,臺積電展示了自己設計的一顆小芯片(chiplet)。基本參數(shù)上,該芯片采用7nm工藝,4.4x6.2mm(27.28 mm2),CoWos(晶圓基底封裝),雙芯片結構,其一內(nèi)建4個Cortex A72核心,另一內(nèi)建6MiB三緩。

  該芯片采用了一種雙芯片設計,這種技術可以通過添加額外的PHY來進行擴展,芯片不同單元間以及不同芯片之間可以形成互聯(lián)。每個小芯片具有15個金屬層,模具本身僅為4.4毫米×6.2毫米(27.28mm2)。臺積電采用了四個Arm Cortex-A72內(nèi)核,針對turbo頻率大于4GHz電壓操作,配備了高性能單元(7.5T,3p + 3n)并定制設計1級高速緩存單元,這一模塊有兩個L2緩存塊,每個1 MiB,這些是使用它們的高電流位單元實現(xiàn)的,并以半速運行。此外,還有一個大型的6 MiB L3緩存,使用高密度位單元實現(xiàn),并以四分之一速度運行。

  在1.20的電壓下,Cortex內(nèi)核可以達到4 GHz,實測最高達到了4.2GHz(1.375V)。臺積電稱,這款芯片是為高性能計算平臺設計,這也解釋其主頻為何如此驚人。

內(nèi)容來自:TechWeb
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關鍵字: 臺積電 芯片
文章標題:臺積電首秀7nm自研芯片:4核A72頻率高達4GHz
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