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臺積電首秀7nm自研芯片:4核A72頻率高達(dá)4GHz

摘要:在本月初于日本東京舉辦的VLSI Symposium(超大規(guī)模集成電路研討會(huì))期間,臺積電展示了自己設(shè)計(jì)的一顆小芯片(chiplet)?;緟?shù)上,該芯片采用7nm工藝,4.4x6.2mm(27.28 mm2),CoWos(晶圓基底封裝),雙芯片結(jié)構(gòu),其一內(nèi)建4個(gè)Cortex A72核心,另一內(nèi)建6MiB三緩。

  ICCSZ訊 在本月初于日本東京舉辦的VLSI Symposium(超大規(guī)模集成電路研討會(huì))期間,臺積電展示了自己設(shè)計(jì)的一顆小芯片(chiplet)?;緟?shù)上,該芯片采用7nm工藝,4.4x6.2mm(27.28 mm2),CoWos(晶圓基底封裝),雙芯片結(jié)構(gòu),其一內(nèi)建4個(gè)Cortex A72核心,另一內(nèi)建6MiB三緩。

  該芯片采用了一種雙芯片設(shè)計(jì),這種技術(shù)可以通過添加額外的PHY來進(jìn)行擴(kuò)展,芯片不同單元間以及不同芯片之間可以形成互聯(lián)。每個(gè)小芯片具有15個(gè)金屬層,模具本身僅為4.4毫米×6.2毫米(27.28mm2)。臺積電采用了四個(gè)Arm Cortex-A72內(nèi)核,針對turbo頻率大于4GHz電壓操作,配備了高性能單元(7.5T,3p + 3n)并定制設(shè)計(jì)1級高速緩存單元,這一模塊有兩個(gè)L2緩存塊,每個(gè)1 MiB,這些是使用它們的高電流位單元實(shí)現(xiàn)的,并以半速運(yùn)行。此外,還有一個(gè)大型的6 MiB L3緩存,使用高密度位單元實(shí)現(xiàn),并以四分之一速度運(yùn)行。

  在1.20的電壓下,Cortex內(nèi)核可以達(dá)到4 GHz,實(shí)測最高達(dá)到了4.2GHz(1.375V)。臺積電稱,這款芯片是為高性能計(jì)算平臺設(shè)計(jì),這也解釋其主頻為何如此驚人。

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關(guān)鍵字: 臺積電 芯片
文章標(biāo)題:臺積電首秀7nm自研芯片:4核A72頻率高達(dá)4GHz
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