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低損耗集成光子延時芯片取得重大突破

摘要:近日,38所研制的低損耗片上集成光延時芯片取得重大進展。項目經過多輪理論設計及工藝優(yōu)化,現(xiàn)已完成了低損耗可調光延時模塊樣機研制。

  ICCSZ訊 近日,38所研制的低損耗片上集成光延時芯片取得重大進展。項目經過多輪理論設計及工藝優(yōu)化,現(xiàn)已完成了低損耗可調光延時模塊樣機研制。系統(tǒng)測試表明,延時模塊損耗小于4dB,可實現(xiàn)大于150ps的延時量,并通過熱光效應實現(xiàn)芯片在大帶寬范圍內延時量的精確可調。模塊樣機的損耗、延時量、延時帶寬等關鍵參數(shù)均達到國內領先水平,進入工程化實用階段。

  集成光子延時芯片可以把多個分立器件集成在一個芯片上,有效解決一致性和可靠性問題,對現(xiàn)有裝備的技術升級、新型相控陣雷達的研制以及下一代全光雷達的預研都具有重要意義。

  雷達系統(tǒng)由電向光的全面轉化是雷達發(fā)展的一個必然趨勢。傳統(tǒng)的相控陣雷達利用大量天線單元組成的相位陣面來合成波束實現(xiàn)雷達方向的掃描,每個天線單元都由獨立的移相開關控制,但體積較大,工作帶寬有限。片上微波光子技術是其發(fā)展的一個革命性節(jié)點,通過在光子芯片中集成可調光延時線陣列,可控制不同延時線之間的相位差,實現(xiàn)雷達方向的掃描,是實現(xiàn)微波光子雷達的關鍵技術。

內容來自:電科博微
本文地址:http://m.odinmetals.com//Site/CN/News/2018/03/30/20180330011036260800.htm 轉載請保留文章出處
關鍵字: 芯片 低損耗
文章標題:低損耗集成光子延時芯片取得重大突破
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