低損耗集成光子延時芯片取得重大突破

  ICCSZ訊 近日，38所研制的低損耗片上集成光延時芯片取得重大進展。項目經(jīng)過多輪理論設(shè)計及工藝優(yōu)化，現(xiàn)已完成了低損耗可調(diào)光延時模塊樣機研制。系統(tǒng)測試表明，延時模塊損耗小于4dB，可實現(xiàn)大于150ps的延時量，并通過熱光效應實現(xiàn)芯片在大帶寬范圍內(nèi)延時量的精確可調(diào)。模塊樣機的損耗、延時量、延時帶寬等關(guān)鍵參數(shù)均達到國內(nèi)領(lǐng)先水平，進入工程化實用階段。

  集成光子延時芯片可以把多個分立器件集成在一個芯片上，有效解決一致性和可靠性問題，對現(xiàn)有裝備的技術(shù)升級、新型相控陣雷達的研制以及下一代全光雷達的預研都具有重要意義。

  雷達系統(tǒng)由電向光的全面轉(zhuǎn)化是雷達發(fā)展的一個必然趨勢。傳統(tǒng)的相控陣雷達利用大量天線單元組成的相位陣面來合成波束實現(xiàn)雷達方向的掃描，每個天線單元都由獨立的移相開關(guān)控制，但體積較大，工作帶寬有限。片上微波光子技術(shù)是其發(fā)展的一個革命性節(jié)點，通過在光子芯片中集成可調(diào)光延時線陣列，可控制不同延時線之間的相位差，實現(xiàn)雷達方向的掃描，是實現(xiàn)微波光子雷達的關(guān)鍵技術(shù)。