專訪華興激光：高端InP外延片系列亮相 緊隨光電行業(yè)發(fā)展趨勢

  ICC訊 9月6-8日，CIOE2023期間，專注于光通信激光外延片、大功率激光外延片、光探測外延片、外延與工藝代工服務(wù)、多次外延生長、MOCVD Zn擴(kuò)散、光柵加工(全息和EBL)、光電材料表征的化合物半導(dǎo)體外延材料供應(yīng)商江蘇華興激光科技有限公司(簡稱華興激光)隆重展出了一系列磷化銦(InP)和砷化鎵(GaAs)化合物半導(dǎo)體外延片產(chǎn)品，公司展臺獲得現(xiàn)場客戶的高度關(guān)注。

華興激光展臺

  華興激光銷售總監(jiān)孫增輝博士向訊石介紹，本次華興激光展出的2.5G/10G FP/DFB激光外延片系列可作為光通信寬帶網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)、光纖到戶、數(shù)據(jù)中心光互聯(lián)、移動基站等應(yīng)用場景的關(guān)鍵光電芯片材料。伴隨著光通信、光電子器件應(yīng)用朝高速率、高性能方向持續(xù)演進(jìn)，公司在高速率、高端光電應(yīng)用方面的光電子外延片產(chǎn)品上緊隨市場需求，并實(shí)現(xiàn)了諸多技術(shù)創(chuàng)新突破。

  公司在本次展會重點(diǎn)展示產(chǎn)品包括2.5G DFB/FP激光外延片、18波10G DFB激光外延片、25G DFB激光外延片、25G/50G EML外延片和硅光用大功率DFB外延片。其中2.5G DFB和10G DFB激光外延片的閾值電流8mA，邊模抑制比>38dB；25G DFB激光外延片3dB帶寬21GHz@25°C/16GHz@85°C；50GEML外延片3dB帶寬可達(dá)到45GHz@45°C；此外，硅光應(yīng)用的大功率DFB外延片閾值電流20mA，峰值功率大于100mW，滿足硅光芯片需求。

華興激光半導(dǎo)體外延片產(chǎn)品

  此外，華興激光還展出了光傳感應(yīng)用的半導(dǎo)體外延片產(chǎn)品(DFB/VCSEL/APD/SPAD)，該系列涵蓋0.76微米、0.94微米、1.06微米、1.53微米、1.65微米等波段，可應(yīng)用于3D成像及氧氣、氨氣、甲烷等氣體的高精度檢測。華興激光基于技術(shù)團(tuán)隊(duì)在半導(dǎo)體光電材料領(lǐng)域多年的技術(shù)積累以及現(xiàn)有的設(shè)備平臺，可為企業(yè)、高校、科研院所提供半導(dǎo)體光電外延材料的全方位代工服務(wù)，涵蓋光電外延片結(jié)構(gòu)設(shè)計、材料外延、光柵制作、測試分析等方面，為客戶提供一站式解決方案。

華興激光銷售總監(jiān)孫增輝博士(右)與訊石合影

  江蘇華興激光科技有限公司創(chuàng)立于2016年2月,是一家專業(yè)從事半導(dǎo)體外延片研發(fā)、生產(chǎn)與加工服務(wù)的國家高新技術(shù)企業(yè),主要采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)和電子束/全息光刻技術(shù),制備以砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)為基底的III-V族化合物半導(dǎo)體外延片。

  公司位于江蘇省邳州市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū),占地30畝,建筑面積2.3萬平方米,其中超凈車間面積近5000平方米,擁有國際一流的化合物半導(dǎo)體材料生長和檢測設(shè)備平臺。技術(shù)團(tuán)隊(duì)包括中國科學(xué)院院士、國家高層次人才計劃入選者、產(chǎn)業(yè)專家等資深光電從業(yè)人員,其中博士18人,掌握化合物半導(dǎo)體外延片設(shè)計與制備的核心技術(shù),已獲得50余項(xiàng)國家專利。