Iccsz訊 硅光子技術(shù)的創(chuàng)業(yè)先鋒、領(lǐng)軍企業(yè)之一SiFotonics Technologies將走進(jìn)清華大學(xué)電子工程系,屆時(shí)SiFotonics CEO潘棟博士及清華校友代表將與您面對(duì)面互動(dòng)交流,與您分享SiFotonics硅光子技術(shù)的前世、今生和未來(lái)。
時(shí)間:2016年10月31日 14:00-15:00pm
地點(diǎn):清華大學(xué)羅姆樓8-208會(huì)議室
CIOE2016上的SiFotoncis(右二為CEO潘棟博士)
潘棟博士介紹,“SiFotonics進(jìn)入硅光領(lǐng)域比較早,起初接觸到硅光時(shí),感覺到硅光是長(zhǎng)期而且有發(fā)展前景的,一開始先把鍺硅器件做好,然后再慢慢走向集成。如今經(jīng)過(guò)近十年的努力和積累、數(shù)代產(chǎn)品的更迭,SiFotonics的鍺硅PD/APD芯片已在性能、量產(chǎn)能力、可靠性等方面得到足夠的市場(chǎng)檢驗(yàn),目前各類產(chǎn)品已累計(jì)出貨近100萬(wàn)顆,并開始推出硅光集成芯片如ICR。”
SiFotonics Technologies成立于2006年底,目前投資額近5000萬(wàn)美元,公司在波士頓、北京、上海分別設(shè)立了研發(fā)中心,現(xiàn)有員工約100余人。核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)匯集了來(lái)自MIT、清華大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)的多名業(yè)界精英,投身于硅基光電產(chǎn)品前沿技術(shù)的開發(fā)與應(yīng)用。
2015年底,SiFotonics Technologies在硅光領(lǐng)域中取得了決定性的突破:SiFotonics研發(fā)的正面入射型25G高速鍺硅雪崩二極管 (APD), 在1310nm靈敏度達(dá)到了-22.5dBm (BER=1E-12), 為所有探測(cè)器件中的最高性能,這是硅光有源芯片里程碑式的進(jìn)展:?jiǎn)蝹€(gè)器件的性能超越傳統(tǒng)材料。
誠(chéng)邀光通訊精英 共推硅光美好未來(lái)
SiFotonics誠(chéng)邀勇于創(chuàng)新、敢為人先、渴望施展才華的精英加盟,一起創(chuàng)造硅基光通訊產(chǎn)業(yè)美好未來(lái)!
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公司網(wǎng)址:www.sifotonics.com
新聞來(lái)源:訊石光通訊網(wǎng)
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