將調(diào)派晶圓廠運(yùn)營(yíng)副總王英郎坐鎮(zhèn)美國(guó)廠？臺(tái)積電回應(yīng)

  ICC訊  市場(chǎng)傳出臺(tái)積電將調(diào)派晶圓廠運(yùn)營(yíng)副總經(jīng)理王英郎前往亞利桑那州廠坐鎮(zhèn)。臺(tái)積電回應(yīng)稱(chēng)，人事變動(dòng)以公司公告為主。

  據(jù)臺(tái)媒中央社報(bào)道，王英郎為交通大學(xué)電子工程博士，1992年加入臺(tái)積電，先后擔(dān)任多個(gè)生產(chǎn)相關(guān)的管理職位，于2015年10月被任命為臺(tái)積電技術(shù)發(fā)展副總經(jīng)理，目前擔(dān)任晶圓廠運(yùn)營(yíng)副總經(jīng)理。

  王英郎在臺(tái)積電服務(wù)超過(guò)20年，為臺(tái)積電0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.13微米、90奈米、65納米、40納米、20納米和16納米制程技術(shù)的量產(chǎn)具有重要貢獻(xiàn)，并成功10納米、7納米和5納米制程技術(shù)導(dǎo)入生產(chǎn)。

  據(jù)悉，臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州晶圓廠于12月初舉行了首批機(jī)臺(tái)設(shè)備到廠典禮，計(jì)劃一期將于2024年上線，屆時(shí)將進(jìn)入4納米芯片生產(chǎn)階段，二期計(jì)劃于2026年開(kāi)始生產(chǎn)3納米工藝，總預(yù)算攀升至400億美元。

  日前市場(chǎng)消息傳出該廠整體建設(shè)和設(shè)備安裝進(jìn)度已被推遲，而臺(tái)積電還必須解決嚴(yán)重的人力短缺、成本飆升以及涉及中國(guó)臺(tái)灣和外國(guó)員工新出現(xiàn)的教育和適應(yīng)問(wèn)題。