消息稱臺(tái)積電 3/5 nm 制程明年漲價(jià)：AI 產(chǎn)品漲 5~10% ，非 AI 產(chǎn)品 0~5%

  ICC訊  7 月 2 日消息，中國(guó)臺(tái)灣消息人士 @手機(jī)晶片達(dá)人 爆料稱，臺(tái)積電正準(zhǔn)備從明年 1 月 1 日起宣布漲價(jià)，主要針對(duì) 3/5 nm，其他制程維持原價(jià)。

  據(jù)稱，臺(tái)積電計(jì)劃將其 3/5 nm 制程的 AI 產(chǎn)品報(bào)價(jià)提高 5%-10% ，非 AI 產(chǎn)品提高 0-5% 。

  實(shí)際上，上個(gè)月臺(tái)灣工商時(shí)報(bào)也表示臺(tái)積電已經(jīng)開(kāi)始傳出漲價(jià)消息。全球七大科技巨頭(英偉達(dá)、AMD、英特爾、高通、聯(lián)發(fā)科、蘋(píng)果及谷歌)將陸續(xù)導(dǎo)入臺(tái)積電 3nm 制程，例如高通驍龍 8 Gen 4、聯(lián)發(fā)科天璣 9400 及蘋(píng)果 A18、M4 系列都將采用 N3 家族打造，其中基于 N3E 工藝的高通驍龍 8 Gen 4 已率先開(kāi)始漲價(jià)，較上一代報(bào)價(jià)激增 25%，預(yù)計(jì)將超過(guò) 250 美元(IT之家備注：當(dāng)前約 1822 元人民幣)。

  不過(guò)業(yè)界也指出，這一漲幅仍處于合理范圍之中，主要是 3nm 相較于 5nm 本身的晶圓成本就提高了大約 25%，而且這個(gè)漲幅還未考慮整體投片數(shù)量、設(shè)計(jì)架構(gòu)等因素。

  臺(tái)積電總裁魏哲家也強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電工藝非常省電，良率又比較好，若以每顆晶粒來(lái)看，臺(tái)積電最便宜，并承諾季季進(jìn)步、年年提升，始終向客戶提供最領(lǐng)先的技術(shù)。