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精彩回顧|NOEIC亮相2024中國(guó)光谷?光電子信息產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)

摘要:NOEIC攜2Tb/s硅基3D集成芯粒(chiplet)、800G 硅光相干接收芯片、800G DR8 硅光調(diào)制器芯片、130Gbaud IQ調(diào)制器、110GHz超高帶寬光強(qiáng)度調(diào)制器及特種光器件等系列展品亮相光電產(chǎn)業(yè)大會(huì)。

  ICC訊 5月16日—18日,2024中國(guó)光谷·光電子信息產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)在武漢·中國(guó)光谷科技會(huì)展中心隆重舉行。大會(huì)匯聚370余家知名企業(yè)參展,超4萬(wàn)專(zhuān)業(yè)觀眾參會(huì),同期舉辦20余場(chǎng)專(zhuān)業(yè)論壇和活動(dòng)。NOEIC攜2Tb/s硅基3D集成芯粒(chiplet)、800G 硅光相干接收芯片、800G DR8 硅光調(diào)制器芯片、130Gbaud IQ調(diào)制器、110GHz超高帶寬光強(qiáng)度調(diào)制器及特種光器件等系列展品亮相,并推介完整MPW流片服務(wù)體系及特色封裝能力,同期成功主辦第六屆硅光產(chǎn)業(yè)論壇并出席新品發(fā)布會(huì)、專(zhuān)場(chǎng)發(fā)布會(huì)等活動(dòng),現(xiàn)場(chǎng)人氣滿滿。

  1、展臺(tái)人潮涌動(dòng)

  在芯片展臺(tái),NOEIC重點(diǎn)展示了800G 硅光相干接收芯片、800G DR8 硅光調(diào)制器芯片、多維復(fù)用1.4Tb/s相干調(diào)制器芯片及2Tb/s硅基3D集成芯粒(chiplet)。

  作為此次展出的最新研發(fā)成果之一,NOEIC 2Tb/s硅光互連芯粒(chiplet)備受矚目。該3D芯粒能解決電芯片與光芯片間高密度、高帶寬電互連的困難,顯著降低射頻信號(hào)在光-電芯片互連過(guò)程中的嚴(yán)重衰減,最高可支持速率達(dá)8×256Gb/s,單片單向互連帶寬高達(dá)2Tb/s。

  在特種光器件展臺(tái),代表國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平的110GHz超高帶寬光強(qiáng)度調(diào)制器、130Gbaud IQ調(diào)制器等一經(jīng)亮相,就受到了廣泛關(guān)注。此外,窄線寬激光器、高靈敏度相干接收機(jī)、1.25GHz近紅外單光子探測(cè)器、多通道電源等產(chǎn)品,也吸引觀眾紛紛駐足,仔細(xì)觀摩并與現(xiàn)場(chǎng)技術(shù)人員展開(kāi)深入交流。



  NOEIC在現(xiàn)場(chǎng)推介的硅基光電子芯片完整MPW流片服務(wù)體系也受到廣泛?jiǎn)栐儭OEIC基于和國(guó)內(nèi)外主流硅光工藝線的深度合作,可為科研和工業(yè)界客戶提供成熟穩(wěn)定的流片服務(wù),流片內(nèi)容包括SOI工藝流片、SiN工藝流片和薄膜鈮酸鋰工藝流片,硅光IP均具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),且已經(jīng)過(guò)產(chǎn)品級(jí)認(rèn)證,并具備大規(guī)模量產(chǎn)的能力。

  NOEIC多樣化的產(chǎn)品和創(chuàng)新性的行業(yè)解決方案,滿足不同場(chǎng)景用戶的需求,吸引了眾多國(guó)內(nèi)外客戶的圍觀問(wèn)詢與現(xiàn)場(chǎng)商談,得到行業(yè)高度關(guān)注,為廣大客戶帶來(lái)了全新視野。

      2、硅光產(chǎn)業(yè)論壇精彩紛呈

      

      5月17日,由國(guó)家信息光電子創(chuàng)新中心與鵬城實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合主辦的第六屆硅光產(chǎn)業(yè)論壇(SiPC 2024)盛大開(kāi)幕。本次論壇聚焦硅光產(chǎn)業(yè)的整體發(fā)展態(tài)勢(shì)、技術(shù)突破和市場(chǎng)前景,探索硅光子更廣泛的技術(shù)應(yīng)用和市場(chǎng)機(jī)會(huì)。論壇由創(chuàng)新中心副董事長(zhǎng)馬衛(wèi)東致開(kāi)幕詞,NOEIC總經(jīng)理肖希作題為《NOEIC光電子芯片F(xiàn)abless服務(wù)體系和技術(shù)進(jìn)展》的報(bào)告。隨后,來(lái)自中國(guó)移動(dòng)、中國(guó)聯(lián)通、中國(guó)電信、鵬城實(shí)驗(yàn)室、中科院半導(dǎo)體所、光迅科技等二十余家單位的專(zhuān)家學(xué)者先后作報(bào)告,報(bào)告內(nèi)容涵蓋AI算力、硅光傳感、人工智能等多個(gè)熱門(mén)領(lǐng)域,展現(xiàn)業(yè)內(nèi)最新技術(shù)進(jìn)展和科技成果。

  3、發(fā)布會(huì)等活動(dòng)備受關(guān)注

  烽火通信聯(lián)合鵬城實(shí)驗(yàn)室、中國(guó)信科集團(tuán)光通信技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、國(guó)家信息光電子創(chuàng)新中心及武漢飛思靈微電子技術(shù)有限公司,在大會(huì)發(fā)布了基于空芯光纖的超大容量實(shí)時(shí)傳輸系統(tǒng)。實(shí)現(xiàn)了19.65THz超寬帶S+C+L波段實(shí)時(shí)傳輸,單纖雙向同波長(zhǎng)傳輸最大傳輸容量超270Tbit/s,單波速率最高達(dá)1.2Tbit/s。該次傳輸實(shí)驗(yàn)的成功,不僅再次實(shí)現(xiàn)大容量光纖傳輸系統(tǒng)的創(chuàng)新突破,而且對(duì)空芯光纖的低損耗、超低非線性及超低背向散射等特性進(jìn)行了驗(yàn)證,為未來(lái)800G和T bit+系統(tǒng)與空芯光纖的結(jié)合提供了切實(shí)的理論基礎(chǔ)和可行的實(shí)踐依據(jù)。

  NOEIC器件技術(shù)部經(jīng)理王棟博士受邀參加了第二屆光電子信息“自立自強(qiáng)”科技成果專(zhuān)場(chǎng)發(fā)布會(huì),該發(fā)布會(huì)作為光電子信息產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)系列活動(dòng)之一,聚焦光電子行業(yè)最前沿且擁有自主核心技術(shù)的光電成果,致力于提升推進(jìn)高校、院所、企業(yè)成果轉(zhuǎn)化。王棟博士在發(fā)布會(huì)上作題為《超高帶寬光強(qiáng)度調(diào)制器》的報(bào)告,并與現(xiàn)場(chǎng)觀眾交流NOEIC硅基光電子芯片的設(shè)計(jì)、流片工藝和封裝測(cè)方面的技術(shù)進(jìn)展。

  NOEIC總經(jīng)理肖希博士和硅光技術(shù)部經(jīng)理陳代高博士分別接受了“訊石光通訊”專(zhuān)訪,對(duì)NOEIC的最新成果和未來(lái)的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行介紹。肖博士表示,“光電子信息產(chǎn)業(yè)是我國(guó)有條件率先實(shí)現(xiàn)突破的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)”,希望國(guó)內(nèi)同行通力合作,擁抱這次算力帶來(lái)的黃金浪潮,把握機(jī)遇,用好我們國(guó)內(nèi)的優(yōu)勢(shì)研發(fā)條件,一起往前沖!

  三天的展會(huì)圓滿落幕,NOEIC此行滿載而歸,讓我們來(lái)年再聚!

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