優(yōu)秀技術(shù)獎(jiǎng)丨長(zhǎng)光華芯56GBd PAM4 EML CoC光通信芯片

  12月28日，訊石英雄榜頒獎(jiǎng)典禮在蘇州順利舉辦，光通信領(lǐng)域?qū)＜覐膮⑦x產(chǎn)品的技術(shù)、成本、市場(chǎng)占有率、客戶(hù)滿(mǎn)意度和第三方權(quán)威驗(yàn)證等數(shù)據(jù)，并結(jié)合經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)、增長(zhǎng)率、研發(fā)強(qiáng)度、專(zhuān)利等，評(píng)定出2023年度訊石英雄榜上榜單位。

  長(zhǎng)光華芯56GBd PAM4 EML CoC光通信芯片榮獲第十屆訊石英雄榜優(yōu)秀技術(shù)獎(jiǎng)。

優(yōu)秀技術(shù)獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)企業(yè)合影

長(zhǎng)光華芯獲獎(jiǎng)產(chǎn)品

  長(zhǎng)光華芯單波100Gbps (56Gbaud四電平脈沖幅度調(diào)制(PAM4))電吸收調(diào)制器激光二極管(EML)芯片：

  支持四個(gè)波長(zhǎng)的粗波分復(fù)用(CWDM)，達(dá)到了使用4顆芯片實(shí)現(xiàn)400Gbps傳輸速率，或8顆芯片實(shí)現(xiàn)800Gbps傳輸速率的應(yīng)用目標(biāo)。

  采用脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，支持4個(gè)CWDM波長(zhǎng)-1271、1291、1311和1331nm，允許不同波長(zhǎng)的光信號(hào)在單個(gè)光纖中復(fù)用，從而減少所需要的光纖數(shù)量。

  電吸收調(diào)制器調(diào)制速率達(dá)56GBd，可使用56GBd PAM4信號(hào)支持112Gb/s，具有高功率、低功耗、高帶寬、低RIN，oDSP直驅(qū)、高可靠性的優(yōu)點(diǎn)。

  符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)和Telcordia GR-468標(biāo)準(zhǔn)，是當(dāng)前400G/800G 超算數(shù)據(jù)中心互連光模塊的核心器件。

  長(zhǎng)光華芯2012年成立于蘇州，采用IDM模式，突破外延生長(zhǎng)、芯片制造、封測(cè)各環(huán)節(jié)關(guān)鍵技術(shù)及工藝，擁有半導(dǎo)體激光行業(yè)中最大的6吋生產(chǎn)線(xiàn)。構(gòu)建了砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)和氮化鎵(GaN)三大材料體系，具備邊發(fā)射和面發(fā)射兩大芯片結(jié)構(gòu)技術(shù)和工藝生產(chǎn)平臺(tái)。

長(zhǎng)光華芯IDM全流程工藝平臺(tái)

  在光通信方面，長(zhǎng)光華芯從2010年就開(kāi)始了磷化銦激光芯片產(chǎn)線(xiàn)的布局，經(jīng)過(guò)多年的攻關(guān)和籌備，長(zhǎng)光華芯已攻克材料外延生長(zhǎng)的精確控制和穩(wěn)定性難題以及激光電流的氧化限制控制難題，致力于高速率光通信芯片的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售。目前長(zhǎng)光華芯已向市場(chǎng)批量供應(yīng)高速光通信激光芯片、光電探測(cè)器芯片等多個(gè)產(chǎn)品類(lèi)別，產(chǎn)品性能指標(biāo)先進(jìn)。

  目前長(zhǎng)光華芯10G EML、100mW CW DFB、50G PAM4 VCSEL、56GBd PAM4 EML CoC等多款產(chǎn)品已向市場(chǎng)批量供應(yīng)，應(yīng)用覆蓋接入網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心場(chǎng)景下的10G、100G-800G速率的多種應(yīng)用。

  同時(shí)結(jié)合AI時(shí)代數(shù)據(jù)中心DC建設(shè)對(duì)核心光芯片的需求，公司也在全力研發(fā)攻克更高性能水平光通信芯片產(chǎn)品的技術(shù)和工藝難點(diǎn)，助力海內(nèi)外客戶(hù)和彌補(bǔ)行業(yè)缺芯痛點(diǎn)。

  長(zhǎng)光華芯光通信系列產(chǎn)品，讓通信和超算搭上“光速”！