長飛100億打造長飛先進武漢基地 聚焦第三代半導體功率器件

  2023年12月1日，長飛先進武漢基地建設誓師大會在光谷科學島圓滿舉行。作為長飛先進發(fā)展戰(zhàn)略關(guān)鍵一環(huán)，武漢基地的順利建設、投產(chǎn)對公司發(fā)展壯大至關(guān)重要。會上，武漢市東湖高新區(qū)相關(guān)領(lǐng)導、股東、投資人、合作伙伴及項目總包單位、工程團隊等齊聚一堂，與長飛先進管理團隊共同見證了這一重要時刻。

誓師大會現(xiàn)場

  長飛先進武漢基地坐落于湖北省武漢市光谷科學島，一期占地344畝、預計投資100億元。武漢基地主要聚焦于第三代半導體功率器件研發(fā)生產(chǎn)，致力于打造一個集芯片設計、制造及先進技術(shù)研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導體制造基地。自今年8月25日正式簽約落地光谷科學島以來，在政府及有關(guān)單位大力支持下，武漢基地正在快速、高效地不斷朝前推進。

長飛先進總裁陳重國

  長飛先進總裁陳重國首先在開場致辭中對各位來賓表示了熱烈歡迎和衷心的感謝。他表示，武漢基地項目的落地離不開政府、股東還有合作伙伴的大力支持，希望通過本次武漢基地誓師大會能讓大家看到長飛先進向著“世界領(lǐng)先的寬禁帶半導體公司”不斷邁進的堅定步伐，同時也希望項目建設及配套支持單位齊心協(xié)力，將武漢基地建設成為全智能化、世界一流的碳化硅器件制造標桿工廠。

長飛光纖執(zhí)行董事兼總裁、長飛先進董事長莊丹

  之后，長飛先進武漢晶圓廠總經(jīng)理兼武漢基地建設項目經(jīng)理李剛帶領(lǐng)武漢基地建設總包及各參與單位進行宣誓。長飛光纖執(zhí)行董事兼總裁、長飛先進董事長莊丹為宣誓代表授旗，并在致辭中對項目建設提出了“安全第一、質(zhì)量第一、速度第一”的三大要求。他表示，希望全體參戰(zhàn)人員以更加飽滿的熱情、堅定的信心，全力以赴推進武漢基地建設工作，為長飛先進不斷發(fā)展壯大、實現(xiàn)全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)的繁榮和發(fā)展做出更大的貢獻。

武漢東湖高新區(qū)管委會副主任黃峰

  武漢東湖高新區(qū)管委會副主任黃峰代表東湖高新區(qū)管委會發(fā)表了致辭。他表示，長飛先進武漢基地位于武漢新城核心區(qū)域，也是武漢新城誕生的第一個項目，希望各參建單位能不負期盼，在保證項目安全、質(zhì)量、成本控制的前提下，保障項目結(jié)構(gòu)早封頂、產(chǎn)品早量產(chǎn);同時希望東湖高新區(qū)各政府部門能急企業(yè)之所急、想企業(yè)之所想，真心實意地幫助企業(yè)解決項目推進過程中各大疑難問題，共同為武漢新城建設及長飛先進更好的明天打下最堅實的根基。

  此外，中建一局集團建設發(fā)展有限公司董事長林佐江、國網(wǎng)東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)供電公司總經(jīng)理楊波、沃威沃水技術(shù)(中國)有限公司總經(jīng)理Thomas Fulde分別代表項目總包與各建設參與方為大會發(fā)表了致辭。

大會合影

  當前，以碳化硅為代表的第三代半導體已成為全球爭相搶占的科技制高點，其制造技術(shù)水平和產(chǎn)業(yè)規(guī)模直接關(guān)系到國家經(jīng)濟和科技發(fā)展。面對日益激烈的全球競爭，長飛先進將不斷加快武漢基地建設步伐，持續(xù)打造行業(yè)核心競爭力，推動國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。

  本文來源：安徽長飛先進半導體