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中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體封測(cè)廠商赴美設(shè)廠將考慮三大因素

摘要:日月光等中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體封測(cè)廠商評(píng)估在美國(guó)建廠的可能性時(shí)將考慮三大因素,一是IC封裝/測(cè)試更接近系統(tǒng)組裝商;二是封裝芯片的運(yùn)輸成本要高于晶圓;三是封裝屬于勞動(dòng)密集型產(chǎn)業(yè),在美國(guó)面對(duì)的人才挑戰(zhàn)將更大。

 ICC訊  據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露,盡管臺(tái)積電正在美國(guó)建設(shè)先進(jìn)的晶圓廠,但中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體封測(cè)廠商仍不確定是否在美國(guó)建造工廠,以提供芯片或主流倒裝芯片(FC)工藝等尖端封裝服務(wù)。

  據(jù)消息人士指出,日月光等中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體封測(cè)廠商評(píng)估在美國(guó)建廠的可能性時(shí)將考慮三大因素,一是IC封裝/測(cè)試更接近系統(tǒng)組裝商;二是封裝芯片的運(yùn)輸成本要高于晶圓;三是封裝屬于勞動(dòng)密集型產(chǎn)業(yè),在美國(guó)面對(duì)的人才挑戰(zhàn)將更大。

  據(jù)悉,臺(tái)積電日前在美國(guó)亞利桑那州晶圓廠首批機(jī)臺(tái)設(shè)備到廠典禮上宣布,美國(guó)廠將制程推進(jìn)至4納米,且追加預(yù)算至400億美元,第二階段擴(kuò)廠將切入3納米制程;第一廠將于2024年量產(chǎn),第二廠于2026年量產(chǎn)。

  此前群益投顧董事長(zhǎng)蔡明彥評(píng)論,海外設(shè)廠趨勢(shì)不可逆,但仍不影響臺(tái)積電在晶圓代工領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,但長(zhǎng)期而言,不排除未來(lái)會(huì)有更多中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體廠商跟隨臺(tái)積電赴海外設(shè)廠,中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體設(shè)備等島內(nèi)投資項(xiàng)目是否因此下降,值得留意。

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