ICC訊 一臺(tái)單價(jià)26億元,這是目前最強(qiáng)的光刻機(jī),而最先進(jìn)工藝離開它,幾乎沒辦法繼續(xù)下去。
據(jù)供應(yīng)鏈最新消息,TSMC的目標(biāo)是在2025年量產(chǎn)其2納米(nm)半導(dǎo)體制造工藝。臺(tái)積電目前正準(zhǔn)備加大其3nm節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn),這被認(rèn)為是世界上最先進(jìn)的芯片制造技術(shù)之一,而他們也表示將繼續(xù)通過下一代技術(shù)引領(lǐng)全球半導(dǎo)體行業(yè)。
臺(tái)積電還將在2024年收購(gòu)ASML的高NA EUV芯片制造機(jī)。這些細(xì)節(jié)是由臺(tái)積電負(fù)責(zé)研發(fā)和技術(shù)的高級(jí)副總裁Y.J. Mii博士分享的,由聯(lián)合新聞(UDN)報(bào)道。芯片制造行業(yè)的一個(gè)關(guān)鍵制約因素,也往往成為決定一家公司是否能獲得對(duì)其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的關(guān)鍵因素。
涵蓋先進(jìn)的7納米和更小產(chǎn)品的制造技術(shù)需要使用極紫外光刻機(jī)(EUV)在小范圍內(nèi)打印數(shù)十億個(gè)微小電路,全球目前只有臺(tái)積電、三星和Intel公司在使用。然而,芯片制造技術(shù)的進(jìn)一步進(jìn)步,涉及到電路尺寸的進(jìn)一步縮小,將使芯片制造商難以繼續(xù)使用這些機(jī)器。
芯片制造的下一階段,制造商將轉(zhuǎn)向具有更大鏡頭的機(jī)器。這些被稱為高NA(數(shù)字孔徑),臺(tái)積電將在2024年收到它們。由此看來,這些機(jī)器將被用來制造2納米制造工藝的芯片,因?yàn)檫@位高管還強(qiáng)調(diào),這項(xiàng)技術(shù)將在2025年進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)。
臺(tái)積電的3納米技術(shù)今年一直處于幾個(gè)爭(zhēng)議的中心,因?yàn)樗母?jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星公司搶先宣布在今年上半年進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn),而且市場(chǎng)報(bào)告稱,由于Intel公司的訂單問題,臺(tái)積電將削減資本支出。