“國產(chǎn)芯片”有望實現(xiàn)彎道超車

  ICC訊 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)近日在官方宣布郭光燦院士團隊在光量子芯片研究中取得重大進展，首次在拓撲保護光子晶體芯片中實現(xiàn)量子干涉，讓我們在實現(xiàn)光量子芯片的量產(chǎn)道路上更近一步！

  目前，芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸，推出新的架構(gòu)是一大解決方案，但更“根本”的辦法，或許是找到能夠替代硅的新材料。

  新材料具備全新的物理機制，將實現(xiàn)全新的邏輯、存儲及互聯(lián)概念和器件，推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的革新。包括石墨烯、磷烯、硼烯在內(nèi)的二維超導(dǎo)材料、以及由拓樸絕緣體構(gòu)成的量子芯片，都是與經(jīng)典芯片完全不同的研究方向。

  而郭光燦院士團隊的任希峰研究小組與中山大學(xué)董建文、浙江大學(xué)戴道鋅等研究組的合作研發(fā)，便是繞開摩爾定律，對光量子芯片這一全新技術(shù)路徑的探索。

  （作者：陳浩  責(zé)編：Martin）