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日本半導體又一次領先:全球首發(fā)全新晶圓技術

摘要:日本公司又一次走在前列——日前Novel Crystal Technology全球首次量產了100mm(4英寸)的“氧化鎵”晶圓。

  ICC訊  在新一代半導體材料中,日本公司又一次走在前列——日前Novel Crystal Technology全球首次量產了100mm(4英寸)的“氧化鎵晶圓

  據(jù)日本媒體報道,Novel Crystal Technology公司由日本電子零部件企業(yè)田村制作所和AGC等出資成立,主要研發(fā)、生產新一代半導體技術。

  該公司日前量產了以新一代功率半導體材料“氧化鎵”制成的100mm晶圓,這還是全球首次。

  這次量產的新一代晶圓可以使用原有100mm晶圓的設備制造新一代產品,有效保護了企業(yè)的投資,預計2021年內開始供應晶圓。

  據(jù)介紹,氧化鎵的別名是三氧化二鎵,氧化鎵(Ga2O3)是一種寬禁帶半導體,也是一種透明的氧化物半導體材料,在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ,被用作于Ga基半導體材料的絕緣層,以及紫外線濾光片。

  據(jù)市場調查公司富士經(jīng)濟于2019年6月5日公布的Wide Gap 功率半導體元件的全球市場預測來看,2030年氧化鎵功率元件的市場規(guī)模將會達到1542億日元(約人民幣92.76億元),這個市場規(guī)模要比氮化鎵功率元件的規(guī)模(1085億日元,約人民幣65.1億元)還要大。

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