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外購芯片比自研更“香”?國產(chǎn)IGBT廠商宏微股份透露無奈

摘要:12月22日,江蘇宏微科技股份有限公司(以下簡稱“宏微股份”)的科創(chuàng)板申報材料獲得上交所受理,公司擬募資5.58億元,分別投向新型電力半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)基地項目、研發(fā)中心建設(shè)項目以及償還銀行貸款及補充流動資金項目。據(jù)了解,公司每年外購芯片的金額要高于其采購自研芯片所需金額,外購芯片主要包含IGBT芯片、FRED芯片、整流二極管芯片等。

  ICC訊 12月22日,江蘇宏微科技股份有限公司(以下簡稱“宏微股份”)的科創(chuàng)板申報材料獲得上交所受理,公司擬募資5.58億元,分別投向新型電力半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)基地項目、研發(fā)中心建設(shè)項目以及償還銀行貸款及補充流動資金項目。

  宏微股份采取的是Fabless模式,其主要產(chǎn)品為功率半導(dǎo)體器件,主要包括IGBT、FRED芯片、單管及模塊等產(chǎn)品,報告期內(nèi),公司實現(xiàn)營業(yè)收入分別為2.09億元、2.62億元、2.6億元、1.42億元。

  《科創(chuàng)板日報》記者梳理發(fā)現(xiàn),除了擁有芯片自研技術(shù)外,宏微股份還存在每年向其同行業(yè)公司英飛凌大筆采購芯片的情況,且在報告期內(nèi),公司每年外購芯片的金額要高于其采購自研芯片所需金額。

  并且記者還注意到,國產(chǎn)IGBT廠商斯達半導(dǎo)同樣存在外購芯片的情況,其背后存在著怎樣的原因?兩家公司對此又是如何解釋?

  英飛凌是第一大供應(yīng)商

  宏微股份的產(chǎn)品中,單管主要是指將一個IGBT芯片單獨或與FRED芯片、MOSFET芯片通過芯片焊接和鋁絲鍵合至銅框架基板上,接入電極,并通過塑封外殼封裝而成;而模塊中除芯片以外,主要由DBC基板、鋁線或銅線等材料組成。

  可以看出的是,不論上述哪款產(chǎn)品,芯片都是其中的核心零部件。

  記者從招股書中獲悉,宏微股份是國內(nèi)少數(shù)可以自主研發(fā)IGBT、FRED芯片的公司。但除了由芯片代工供應(yīng)商生產(chǎn)的自研芯片外,宏微股份還存在對外采購芯片的情況。

  報告期內(nèi),宏微股份向英飛凌采購的芯片金額分別為:2216.73萬元、4159.39萬元、5159.20萬元以及1423.25萬元,占當期采購總額的比重分別為14.89%、21.01%、28.43%和13.49%。而自2018年起,英飛凌就持續(xù)穩(wěn)居宏微股份第一大供應(yīng)商的位置。

  值得注意的是,英飛凌的身份不僅是宏微股份的供應(yīng)商,同時也是宏微股份在功率半導(dǎo)體器件行業(yè)的國外競爭對手,根據(jù)IHS Markit 2018年報告,2017年其全球市場占有率為22.40%,在低電壓、中電壓和高電壓IGBT領(lǐng)域,英飛凌均占據(jù)領(lǐng)先地位。

  從另一個角度看,2017年至2020年1-6月,公司芯片(外購)的采購金額分別為:3776.68萬元、5367.51萬元、6200.62萬元以及2307.7萬元;而前述各期,公司對自研芯片的采購金額分別為:739.97萬元、1477.97萬元、2382.00萬元以及1734.93萬元。

  需要說明的是,外購芯片是指向芯片生產(chǎn)商直接采購芯片成品,而自研是由公司提供芯片光刻版圖設(shè)計和工藝流程,代工企業(yè)自行采購硅片等原材料加工后向公司交付芯片,屬于原材料采購,公司采購的芯片成本中已經(jīng)包含了代工成本。

  上述的數(shù)據(jù)反映出兩個情況:其一是公司除了向英飛凌外購芯片外,也有向其他廠商外購芯片;其二,公司對于外購芯片的金額顯著高于自研芯片所需原材料的采購金額。

  外購芯片的原因

  進一步來看,招股書中提到,外購芯片主要包含IGBT芯片、FRED芯片、整流二極管芯片等,各類芯片價格差異較大,其中IGBT芯片單價相對較高;而宏微股份的自研芯片主要為IGBT芯片。

  對于外購芯片的原因,宏微股份未在招股書中具體提及,但公司在解釋主營業(yè)務(wù)毛利率低于同行業(yè)可比公司平均水平時提到:“公司部分客戶指定要求使用進口芯片,進口芯片價格相對較高,導(dǎo)致部分IGBT模塊毛利率相對偏低”。

  不過由于外購芯片的品種較多,因此在報告期內(nèi),宏微股份外購芯片的平均采購單價低于自研芯片。

  此外,除了宏微股份存在外購芯片的情況外,記者注意到,其同行業(yè)公司斯達半導(dǎo)也存在類似的情形。

  斯達半導(dǎo)在今年1月披露的招股書中稱,公司自主研發(fā)設(shè)計的IGBT芯片和快恢復(fù)二極管芯片已經(jīng)量產(chǎn);但同時,公司仍然存在外購芯片的情況,包括英飛凌、Si-Chip Power Technologies Limited、IXYSSemiconductor GmbH等公司。

  除了2019年1-6月外,2016年至2018年,斯達半導(dǎo)各期外購芯片的金額均超過其采購自主研發(fā)芯片的金額。

  為此,在此前監(jiān)管層向公司發(fā)送的“反饋意見”中,監(jiān)管層要求公司說明,外購芯片的原因及合理性,外購芯片的主要采購對象,公司自主芯片在IGBT模塊產(chǎn)品的重要程度;自主芯片與外購芯片的區(qū)別、聯(lián)系、功能是否可相互替代,公司是否對外購芯片尤其是進口芯片形成重大依賴,自主芯片的核心零部件是否依賴進口。

  斯達半導(dǎo)在招股書中稱,其自主研發(fā)設(shè)計的最新一代FS Trench芯片,具備替代進口芯片的能力,公司對外購芯片不存在重大依賴。而對外采購芯片的原因是:由于客戶對公司自研芯片的批量化使用需要一定的驗證時間,因此在正常情況下,公司自主研發(fā)的芯片完全取代進口芯片需要一定過程。

  就技術(shù)角度而言,斯達半導(dǎo)稱,其已實現(xiàn)了IGBT芯片國產(chǎn)化,具備替代進口IGBT模塊的能力。宏微股份在招股書中則提到,其最新研發(fā)成功的宏微第四代IGBT M4i 750V 280A芯片,在擊穿耐壓、短路極限時間方面與英飛凌芯片基本相同,在損耗、電流密度方面與英飛凌芯片相接近。

內(nèi)容來自:科創(chuàng)板日報
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關(guān)鍵字: 芯片 英飛凌
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