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中科院西安光機所研制出用于多千瓦級激光器的摻雜光纖

摘要:來自中國科學(xué)院西安光學(xué)精密機械研究所(XIOPM)瞬態(tài)光學(xué)與光子學(xué)國家重點實驗室的SHE Shengfei和其同事共同制造了一種具有高激光穩(wěn)定性的30/600有源光纖,該光纖被稱為Yb/Ce-AS@LAS fiber。

  由于摻鐿光纖激光器從科研領(lǐng)域到工業(yè)加工乃至國防領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,對于具有高穩(wěn)定性的多千瓦(≥3kW)級光纖激光器越來越迫切。

  過去幾十年來,光纖制造技術(shù)和其他關(guān)鍵部件取得了令人難以置信的進步,導(dǎo)致連續(xù)波光纖激光器的輸出功率呈指數(shù)級增長。然而,隨著輸出功率的進一步擴大,非線性效應(yīng)(nonlinear, NL)、(光暗化photodarkening, PD)和熱負(fù)荷已被認(rèn)為是多千瓦級輸出功率下激光器長期可靠性的關(guān)鍵限制因素。

  通常,通過摻雜高濃度的Yb3+來縮短活性纖維是減少NL相互作用長度的有效策略。但是高于溶解度閾值的摻雜水平會導(dǎo)致Yb3+團簇甚至相分離,這將大大降低PD電阻。否則的話,擴大效應(yīng)區(qū)域也可以減輕NL效應(yīng)。遺憾的是,由于大模場(LMA)光纖支持的模式數(shù)量增加,模式不穩(wěn)定性(MI)現(xiàn)象成為阻礙光纖激光器在多kW級穩(wěn)定運行的主要限制因素。MI會導(dǎo)致光束質(zhì)量下降以及光纖輸出處的光束輪廓波動。

  之前的其他研究團隊發(fā)現(xiàn)抑制PD引起的熱負(fù)荷有助于提高摻Y(jié)b光纖的MI閾值。也證明了PD對MI的嚴(yán)重影響,他們認(rèn)為PD是摻Y(jié)b光纖(YDF)中的第二熱源。因此,除了大模場和足夠的Yb3+濃度以外,制造具有出色PD性能的高質(zhì)量YDF對于提高激光輸出功率也至關(guān)重要。PD效應(yīng)表現(xiàn)為取決于泵浦功率和摻雜劑濃度的,泵浦引起的過量損耗的演變過程。這可以歸因于由Yb3+激發(fā)到纖芯中原子缺陷前驅(qū)體的協(xié)同能量轉(zhuǎn)移過程中產(chǎn)生的色心。色心可以引起從紫外到近紅外波長的隨時間變化的寬帶吸收,從而導(dǎo)致泵浦和激光波長的激光功率顯著降低。由于抑制了色心的形成,共摻雜Ce可以顯著提高Yb / Al共摻雜纖維的抗PD性能。共摻雜鈰元素能顯著提高Yb/Al共摻光纖的抗光暗化效應(yīng)性能,但其抗光暗化效應(yīng)的機理尚不清楚。

  來自中國科學(xué)院西安光學(xué)精密機械研究所(XIOPM)瞬態(tài)光學(xué)與光子學(xué)國家重點實驗室的SHE Shengfei和其同事共同制造了一種具有高激光穩(wěn)定性的30/600有源光纖,該光纖被稱為Yb/Ce-AS@LAS fiber。采用低溫螯合氣相沉積(LT-CGPD)技術(shù)對多千瓦級摻鐿光纖中鈰的添加進行了綜合調(diào)整。最后,基于Ce共摻雜的Yb / Al光纖,它們在1,079.80nm處顯示了出色的結(jié)果。該研究成果發(fā)表在Lightwave Technology上。

  研究人員采用改進的化學(xué)氣相沉積(MCVD)系統(tǒng)結(jié)合CGPD技術(shù)制備了具有均勻纖芯成分的Yb/Ce-AS@LAS光纖。為了降低本底損耗,提高鐿鈰砷鑭光纖的功率承載能力,采用了低溫CGPD技術(shù),所有原料均具有較高的純度(≥5N)。連續(xù)波激光性能測試實驗是在一個多光子吸收系統(tǒng)上進行的,如下圖所示。

MOPA配置示意圖

  使用5.40 kW泵浦光直接向前泵浦的MOPA配置,長15m的30/600 Yb / Ce-AS @LAS光纖在1079.80 nm處輸出5.04 kW激光輸出,斜率效率為81.1%,光束質(zhì)量M2為2.65。同時,高功率光纖放大器的長期穩(wěn)定性得到了有效改善,同時表明了Ce的添加對PD和附加熱負(fù)荷的抑制作用。

在5.04千瓦輸出功率下測量的光束質(zhì)量因子

  他們不僅打破了光纖激光器的功率記錄,而且還基于通過LT-CGPD技術(shù)制造的自制Yb / Ce共摻雜鋁硅酸鹽纖維,為更好的商業(yè)大功率光纖激光器鋪平了道路。

  本文來源:Shengfei She et al. Yb/Ce Codoped Aluminosilicate Fiber With High Laser Stability for Multi-kW Level Laser, Journal of Lightwave Technology (2020). DOI: 10.1109/JLT.2020.3019740

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