CIOE2019 | 三安集成：全球化合物半導體芯片生產服務領導者

  ICCSZ訊 9月4-7日，2019第21屆中國國際光電博覽會(CIOE)在深圳會展中心盛大舉行，領先的化合物半導體供應商，廈門市三安集成電路有限公司(簡稱三安集成)隆重展出Vcsel、GaAs PD、InP MPD、InP DFB等產品。

  三安集成擁有Vcsel工藝制造流程、RW DFB制造流程和PD工藝制造流程，公司擁有高可靠度制程技術與完整芯片代工制造服務經驗，技術團隊來自海內外高端專業(yè)人才，以最佳的制造效率，生產最具有國際競爭力的產品，并聚焦微波射頻、電力電子、光通訊三大市場領域的高端技術發(fā)展，不斷開發(fā)尖端制程技術與持續(xù)提升制程能力。

  三安集成為化合物半導體提供世界一流的晶圓鑄造服務，并提供優(yōu)質的工藝流程和卓越的服務。在光學通信和光子學領域，三安集成提供定制單片機和陣列、DFB激光器、光電二極管、雪崩光電二極管(APDs)、監(jiān)控光電二極管(MPDs)等高速光學產品的晶圓制造。能力包括大功率可見和紅外VCSELs，用于3D傳感的邊緣發(fā)射激光器，激光雷達和一些消費應用。

  三安集成以豐富的晶圓代工資源配合先進的制程技術，來滿足射頻無線通訊及毫米波的客戶與需求。三安集成提供的晶圓代工服務包含完整的工藝設計套件，內容含括設計支持(Design support)、模型手冊(Device model guide book)、制程設計套件(PDK)和計算機輔助設計(CAD)等參數數據庫，讓客戶擁有便捷設計環(huán)境。另提供完整產品測試服務能力，與客戶共同加速產品開發(fā)。

  廈門市三安集成電路有限公司位于廈門市火炬(翔安)高新技術開發(fā)區(qū)內，項目總規(guī)劃用地281 畝，總投資額30億元。三安集成電路是涵蓋微波射頻、高功率電力電子、光通訊等領域的化合物半導體制造平臺;具備襯底材料、外延生長、以及芯片制造的產業(yè)整合能力，擁有大規(guī)模、先進制程能力的MOCVD 外延生長制造線。