II-VI與SEDI合作 打造150mm晶圓制造平臺

  ICCSZ訊（編譯：Nina）日前，領先的化合物半導體解決方案供應商II-VI公司(納斯達克：IIVI)，宣布與住友電工(TYO：5802)旗下子公司住友電氣設備創(chuàng)新公司(Sumitomo Electric Device Innovations，SEDI)進行戰(zhàn)略合作，打造一個垂直整合的150mm晶圓制造平臺，來制造最先進的碳化硅(SiC)襯底氮化鎵(GaN)HEMT器件，以支持下一代無線網(wǎng)絡。

  部署下一代寬帶無線服務的競爭正在推動具有關鍵支持技術(shù)的可擴展戰(zhàn)略供應鏈的發(fā)展。II-VI在150mm化合物半導體制造方面的領導地位與SEDI在GaN RF器件技術(shù)方面的領先地位相結(jié)合，將使雙方能夠帶來具有一流性能、更大規(guī)模和更具競爭力成本的5G RF解決方案。

  SEDI公司總監(jiān)Keiichi Imamura表示：“II-VI已投入大量資金建立世界級的150mm化合物半導體制造平臺。面對快速增長的市場機遇，現(xiàn)在是時候?qū)⑽覀冮L期的商業(yè)關系發(fā)展成全面戰(zhàn)略關系。我們將利用II-VI的制造平臺實現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟，以滿足即將到來的全球化碳化硅襯底氮化鎵HEMT器件需求?！?

  II-VI公司總裁兼首席執(zhí)行官Chuck Mattera博士表示：“我們很高興與無線通信應用的高性能氮化鎵HEMT產(chǎn)品市場領導者SEDI合作。這種合作將打造一個從基板到RF模塊的差異化、垂直整合的價值鏈解決方案。將SEDI業(yè)界領先的HEMT器件技術(shù)與我們的150mm制造平臺相結(jié)合，將加速兩家公司的寬帶RF產(chǎn)品路線圖，并在未來數(shù)年內(nèi)確保領先的技術(shù)和市場地位。為迎接產(chǎn)能需求的攀升，我們正在準備一個150mm的半絕緣基板制造平臺，并擴展我們的新澤西Warren工廠，以將這些核心技術(shù)增加到我們不斷增長的光電器件制造能力中?！?

  II-VI的新澤西州Pinebrook工廠和伊利諾伊州Champaign工廠滿足寬帶隙半導體材料快速增長的市場需求。公司位于新澤西州Warren的150mm生產(chǎn)設施預計將在2020年中期完成碳化硅襯底氮化鎵(GaN-on-SiC)HEMT器件的生產(chǎn)認證。