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國家信息光電子創(chuàng)新中心在武漢烽火科技集團正式成立

摘要:新華社武漢4月26日電承載著解決我國信息光電子制造業(yè)“關(guān)鍵和共性技術(shù)協(xié)同研發(fā),實現(xiàn)首次商業(yè)化”戰(zhàn)略任務(wù)的國家信息光電子創(chuàng)新中心26日在武漢烽火科技集團正式掛牌成立。工業(yè)和信息化部部長苗圩與湖北省相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)共同為中心授牌,標(biāo)志著這個中心全面轉(zhuǎn)入實質(zhì)性運營階段,我國光通信行業(yè)強“芯”之旅正式起航。

  ICCSZ訊 新華社武漢4月26日電承載著解決我國信息光電子制造業(yè)“關(guān)鍵和共性技術(shù)協(xié)同研發(fā),實現(xiàn)首次商業(yè)化”戰(zhàn)略任務(wù)的國家信息光電子創(chuàng)新中心26日在武漢烽火科技集團正式掛牌成立。工業(yè)和信息化部部長苗圩與湖北省相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)共同為中心授牌,標(biāo)志著這個中心全面轉(zhuǎn)入實質(zhì)性運營階段,我國光通信行業(yè)強“芯”之旅正式起航。

  國家信息光電子創(chuàng)新中心致力于匯聚行業(yè)優(yōu)勢創(chuàng)新資源,共建信息光電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新平臺,聚焦新一代網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)中心光互聯(lián)、5G等信息光電子應(yīng)用領(lǐng)域,在高端材料生長、核心芯片工藝、先進(jìn)封裝集成等方面突破關(guān)鍵技術(shù)和共性技術(shù)瓶頸。力爭通過3-5年建設(shè),建成國際一流的信息光電子制造業(yè)創(chuàng)新平臺,推動核心光電子芯片和器件行業(yè)供給率超過30%;力爭到2025年,實現(xiàn)核心光電子芯片和器件自主可控,打通先進(jìn)制造技術(shù)從基礎(chǔ)研究到應(yīng)用研究、首次商業(yè)化和規(guī)?;a(chǎn)的創(chuàng)新鏈條,促進(jìn)行業(yè)關(guān)鍵共性技術(shù)向規(guī)?;⒔?jīng)濟高效的制造能力轉(zhuǎn)化。

  目前,國家信息光電子創(chuàng)新中心依托烽火科技集團領(lǐng)先的芯片平臺、光通信技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)國家重點實驗室兩大技術(shù)平臺,創(chuàng)建了光電芯片工藝平臺和光電集成研發(fā)平臺,形成了從材料生長、芯片后工藝、光子集成、光電集成,到高速系統(tǒng)硬件試驗測試的高端工藝和測試技術(shù)平臺。同時,組建了由10名院士和17名行業(yè)專家組成的專家委員會,建立了市場化的項目運作和管理、知識產(chǎn)權(quán)歸屬及技術(shù)成果轉(zhuǎn)化機制。

  “信息光電子是全球信息通信價值鏈的高端和關(guān)鍵領(lǐng)域,將在未來光存儲、光顯示、光互聯(lián)、光計算,以及未來醫(yī)療衛(wèi)生和航天、國防中發(fā)揮重要作用?!?A href="http://m.odinmetals.com/site/CN/Search.aspx?page=1&keywords=%e5%9b%bd%e5%ae%b6%e4%bf%a1%e6%81%af%e5%85%89%e7%94%b5%e5%ad%90%e5%88%9b%e6%96%b0%e4%b8%ad%e5%bf%83&column_id=ALL&station=%E5%85%A8%E9%83%A8" target="_blank">國家信息光電子創(chuàng)新中心專家委員會主任委員、中國工程院院士余少華表示,中心將推進(jìn)“中國制造2025”規(guī)劃在信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的落地,破解我國信息光電子領(lǐng)域芯片技術(shù)難題。

  記者徐海波、陳俊

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關(guān)鍵字: 國家信息光電子創(chuàng)新中心 烽火
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