北京中科院半導體所研制成功紫外半導體激光器

北京中科院半導體研究所利用現(xiàn)有的Thomas Swan MOCVD設備生長制作出了世界領先的近紫外波長的半導體激光器。   

中科院半導體所在2年前購進安裝并調(diào)試出了此套設備，該套設備主要用于GaN器件的生長研究。經(jīng)過2年多時間的不斷試驗和制作，在集成光電子國家重點實驗室楊輝教授的帶領和陳良惠教授帶領的另外一個組的配合下，他們成功開發(fā)了國內(nèi)第一個近紫外光的半導體激光器。這種激光器采用5周期InGaN/GaN 多量子阱結(jié)構(gòu)作為有源層，AlGaN/GaN超晶格作為包層，光波長為410nm。
 

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