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通訊用三維光子晶體組件不再遙遠(yuǎn)

摘要: 為了配合通訊上的應(yīng)用,日本京都(Kyoto)大學(xué)的科學(xué)家制造出操作波長為1.55微米的三維光子晶體。該人造晶體主要是以砷化鎵(gallium arsenide)為材料,中央為一層磷砷化銦鎵

 為了配合通訊上的應(yīng)用,日本京都(Kyoto)大學(xué)的科學(xué)家制造出操作波長為1.55微米的三維光子晶體。該人造晶體主要是以砷化鎵(gallium arsenide)為材料,中央為一層磷砷化銦鎵發(fā)光層。這項成果是整合半導(dǎo)體光電特性上的一項突破,將有助于發(fā)展高品質(zhì)的光通訊組件。

  光子晶體具類似半導(dǎo)體晶體的周期性結(jié)構(gòu),不過其周期要大上許多倍,因此是靠周期性介電分布來散射波長相近的電磁波,形成類似半導(dǎo)體電子能帶的光子能帶結(jié)構(gòu)。由于波長位于能隙的電磁波無法在光子晶體內(nèi)傳遞,因此可以用來導(dǎo)光或改變發(fā)光體的自發(fā)輻射。

  這個由Susumu Noda領(lǐng)導(dǎo)的研究小組,目標(biāo)是要發(fā)展出類似電子半導(dǎo)體的全光子半導(dǎo)體(full photonic semiconductor)。該計劃已經(jīng)達(dá)成兩項成果:具備在光子晶體內(nèi)任意位置制造缺陷的能力(類似半導(dǎo)體摻雜),以及將發(fā)光組件并入光子晶體結(jié)構(gòu)中。研究人員在三維光子晶體制造的缺陷范圍由3.77×3.60至0.44×0.60微米,波長1.55微米的光由于對應(yīng)到周遭光子晶體的能隙,因此無法傳遞,只能被局限在缺陷附近,因此可以達(dá)成高Q質(zhì)的發(fā)光。較大的缺陷得到的發(fā)光頻譜包含許多光學(xué)模態(tài),而最小的缺陷對應(yīng)的頻寬只含有一個模態(tài),其行為近乎完美的發(fā)光體。研究小組表示,理論仿真的結(jié)果與實驗數(shù)據(jù)相當(dāng)穩(wěn)合。

  許多光子晶體方面的研究都是針對二維系統(tǒng),主要是因為以先進(jìn)的微影術(shù)制造起來較容易,然而代價是得犧牲部份光學(xué)品質(zhì)。在二維光子晶體中,隨著缺陷尺寸減小,Q 質(zhì)有降低的趨勢,而在Noda的三維系統(tǒng)中,情形正好相反。


摘自 光纖新聞網(wǎng)
 

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