ICC訊 近日,在第12屆中國(guó)硬科技產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新趨勢(shì)峰會(huì)上,清純半導(dǎo)體有限公司市場(chǎng)經(jīng)理詹旭標(biāo)發(fā)表《車載電驅(qū)&供電電源用SiC技術(shù) 最新發(fā)展趨勢(shì)》報(bào)告,SiC(碳化硅)被公認(rèn)是提升新能源汽車?yán)m(xù)航里程的最佳方案,伴隨著新能源汽車銷售急劇增長(zhǎng),SiC正在迎來(lái)非常巨大的應(yīng)用市場(chǎng),并給予了國(guó)產(chǎn)化SiC崛起的機(jī)會(huì)窗口。
2023年中國(guó)新能源汽車銷售達(dá)到950萬(wàn)輛,市場(chǎng)占用有率達(dá)到31.6%,預(yù)計(jì)2024年新能源產(chǎn)銷量將達(dá)1200-1300萬(wàn)輛,市占率超過(guò)45%并占全世界產(chǎn)銷售60%。在這個(gè)市場(chǎng)發(fā)展過(guò)程中,SiC上車速度加快,打造國(guó)產(chǎn)SiC車型合計(jì)142款,而750V 及 1200V SiC MOSFETs 是主驅(qū)應(yīng)用的主流器件,而器件性能、質(zhì)量、價(jià)格產(chǎn)能成為了主驅(qū)大規(guī)模應(yīng)用必要條件。
SiC為何稱為提升新能源汽車?yán)m(xù)航里程的最佳方案?這得益于SiC MOSFET 低導(dǎo)通電阻、低開(kāi)關(guān)損耗的特點(diǎn),新能源汽車電機(jī)控制器有望實(shí)現(xiàn)70%的損耗下降,進(jìn)而增加約5%行駛里程。此外,充電問(wèn)題是影響消費(fèi)者購(gòu)買新能源車的首要因素,而SiC材料可以使得單槍的充電功率向350kW以上發(fā)展,通過(guò)高壓快充解決消費(fèi)者的補(bǔ)能焦慮。
根據(jù)相關(guān)市場(chǎng)預(yù)測(cè),2025年全球SiC市場(chǎng)規(guī)模接近60億美元,年復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)為 36.7%。目前該市場(chǎng)主要被國(guó)外企業(yè)壟斷,top廠商份額合計(jì)91.9%。中國(guó)SiC產(chǎn)能規(guī)劃(襯底)預(yù)計(jì)到2026年達(dá)到468萬(wàn)片/年,可滿足3000萬(wàn)輛新能源車的需求。詹旭標(biāo)表示,中國(guó)已經(jīng)形成完善的 SiC產(chǎn)業(yè)鏈,各細(xì)分行業(yè)均涌現(xiàn)出典型代表,快速縮小與跨國(guó)龍頭企業(yè)的差距。在技術(shù)距離上,國(guó)際SiCMOSFET技術(shù)發(fā)展維持3-5年的迭代周期,中國(guó)SiC MOSFET器件最新技術(shù)目前已經(jīng)對(duì)標(biāo)國(guó)際主流水平,并保持1年1代的節(jié)奏快速迭代。
作為國(guó)產(chǎn)SiC代表廠商之一,清純半導(dǎo)體推出第二代1200V SiC MOSFET器件,核心參數(shù)全面對(duì)標(biāo)國(guó)際一流水平,包括超低導(dǎo)通電阻芯片、優(yōu)秀的串?dāng)_抑制能力、柵極串?dāng)_電壓、動(dòng)態(tài)損耗等方面媲美國(guó)外同類產(chǎn)品。目前已經(jīng)通過(guò)AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性試驗(yàn)認(rèn)證。清純半導(dǎo)體采用行業(yè)最全面可靠性測(cè)試方法、最嚴(yán)苛可靠性要求,實(shí)現(xiàn)新能源汽車及工業(yè)應(yīng)用400萬(wàn)顆MOSFET零失效的成就。
SiC半導(dǎo)體技術(shù)將圍繞材料、器件和工藝三個(gè)方面迭代發(fā)展,包括大尺寸低缺陷SiC襯底及外延制備,基于先進(jìn)SiC材料生長(zhǎng)和工藝技術(shù)的新型SiC器件以及面向下一代SiC器件的制造及封裝工藝。在產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)上,在完成SiC 半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新及市場(chǎng)教育后,國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)逐步從技術(shù)研發(fā)轉(zhuǎn)移到大規(guī)模量產(chǎn),而依托巨大的應(yīng)用市場(chǎng)和高效產(chǎn)能提升,中國(guó)有望主導(dǎo)全球SiC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。