NOEIC重磅發(fā)布 | 首款國產(chǎn)化110GHz電光調(diào)制器研制成功

  ICC訊 近日，首款國產(chǎn)化 110GHz 電光強(qiáng)度調(diào)制器產(chǎn)品在國家信息光電子創(chuàng)新中心(NOEIC)研制成功，并獲多家產(chǎn)業(yè)客戶驗(yàn)證和訂購。該調(diào)制器以國產(chǎn)薄膜鈮酸鋰芯片為核心，可在 C 和 L 波段工作，具有超高帶寬、超高速率、低啁啾、低驅(qū)動電壓、高線性度等特性，其 3dB 帶寬高達(dá) 110GHz，是我國首款帶寬突破 110GHz 的電光調(diào)制器產(chǎn)品，關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平，將廣泛應(yīng)用于光通信、光互連、光計(jì)算、光電測試測量、微波光子等寬帶光電子信息系統(tǒng)。

110GHz 電光調(diào)制器實(shí)物圖

  高速電光調(diào)制器的主要功能是將電信號轉(zhuǎn)換為光信號，是光電子系統(tǒng)不可或缺的核心器件。隨著光電子信息產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，對電光調(diào)制器的帶寬、速率上的要求也不斷增加。目前，我國僅能研制生產(chǎn)帶寬 40GHz 以內(nèi)的電光調(diào)制器產(chǎn)品，而帶寬超過 67GHz 的電光調(diào)制器被美日等少數(shù)公司壟斷，且價(jià)格昂貴，嚴(yán)重威脅產(chǎn)業(yè)自主發(fā)展。

  為盡快補(bǔ)齊我國高端光電子器件供應(yīng)鏈這一短板，國家信息光電子創(chuàng)新中心三年磨一劍，攻克并掌握了超高帶寬調(diào)制器芯片、RF高性能傳輸基板、高頻電學(xué)互連焊接工藝、管殼腔體諧振抑制等關(guān)鍵技術(shù)，核心芯片和零部件實(shí)現(xiàn)全部國產(chǎn)化，今年相繼發(fā)布 40GHz、60GHz和 90GHz 三款高帶寬光強(qiáng)度調(diào)制器產(chǎn)品，近日又成功實(shí)現(xiàn)了 110GHz 電光強(qiáng)度調(diào)制器的首次國產(chǎn)化，填補(bǔ)了國內(nèi)空白。該系列產(chǎn)品獲得了國內(nèi)多家產(chǎn)業(yè)用戶和研究院所的驗(yàn)證和訂購，將有效緩解高端光調(diào)制器的“卡脖子”問題，支撐我國光電子信息產(chǎn)業(yè)的自立自強(qiáng)發(fā)展。

  具體測試情況和參數(shù)詳見下圖(表)。

110GHz 調(diào)制器電光 S21 參數(shù)曲線

110GHz 調(diào)制器電電 S11 參數(shù)曲線

NOEIC電光調(diào)制器產(chǎn)品實(shí)測光信號眼圖

  NOEIC 肩負(fù)著打通信息光電子產(chǎn)業(yè)鏈“技術(shù)開發(fā)一首次商用一轉(zhuǎn)移擴(kuò)散”的使命，以突破高端材料、芯片工藝、先進(jìn)封裝等方面關(guān)鍵共性技術(shù)瓶頸為目標(biāo)，致力于推動高端光電子芯片、器件的技術(shù)演進(jìn)和產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化，著力破解我國信息光電子“缺芯”局面。未來， NOEIC 將充分利用現(xiàn)有先進(jìn)制造平臺，聚集創(chuàng)新資源，打造協(xié)同創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)，持續(xù)破解信息光電子卡脖子難題，持續(xù)提升我國核心光電子芯片和器件國產(chǎn)供給率，持續(xù)推動我國光電子信息產(chǎn)業(yè)自立自強(qiáng)!