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濟(jì)南晶正攜光電晶體薄膜材料亮相慕尼黑上海光博會(huì)

摘要:濟(jì)南晶正電子科技有限公司攜光電晶體薄膜材料亮相慕尼黑上海光博會(huì)6.1H B135展臺(tái),期待客戶蒞臨展位交流指導(dǎo)。本次展會(huì),濟(jì)南晶正推出了8寸光學(xué)級(jí)鈮酸鋰薄膜,也是業(yè)內(nèi)首家將8英寸X軸鈮酸鋰晶體制成鈮酸鋰薄膜的企業(yè)。

  ICC訊 第十七屆慕尼黑上海光博會(huì)于2023年7月11-13日在上海國(guó)家會(huì)展中心如火如荼開展,濟(jì)南晶正電子科技有限公司攜光電晶體薄膜材料亮相6.1H B135展臺(tái),期待客戶蒞臨展位交流指導(dǎo)。

  本次展會(huì),濟(jì)南晶正推出了8寸光學(xué)級(jí)鈮酸鋰薄膜,也是業(yè)內(nèi)首家將8英寸X軸鈮酸鋰晶體制成鈮酸鋰薄膜的企業(yè),目前市面上主要為3-6英寸型號(hào)的鈮酸鋰薄膜,而光電子器件集成依賴的微加工工藝主流產(chǎn)線為8英寸半導(dǎo)體產(chǎn)線,此次突破將進(jìn)一步為大規(guī)模光子集成創(chuàng)造條件。

  未來鈮酸鋰薄膜在骨干網(wǎng)相干市場(chǎng)、數(shù)通800G、1.6T光模塊中均具備廣闊的應(yīng)用前景,鈮酸鋰薄膜主要被做成高速電光調(diào)制器,市場(chǎng)有望達(dá)到百億級(jí)別。與硅光調(diào)制器和磷化銦調(diào)制器相比,薄膜鈮酸鋰調(diào)制器具有高帶寬、低插損、低功耗、高可靠性及高消光比等優(yōu)點(diǎn)。在具備優(yōu)秀光學(xué)性能的同時(shí),還能做到小型化,可滿足相干光模塊、數(shù)通光模塊日漸小型化的要求,并且我國(guó)在晶體材料、晶體薄膜、加工手段、器件、系統(tǒng)都是自主可控 。目前國(guó)內(nèi)多家廠商已發(fā)布數(shù)通800G薄膜鈮酸鋰方案光模塊,下游客戶已測(cè)試相應(yīng)產(chǎn)品,未來1.6T光模塊的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)將更加明顯。

  產(chǎn)品介紹:

  300-900nm 鈮酸鋰單晶薄膜


  薄膜用來制作高速電光調(diào)制器、高性能聲波濾波器等高性能器件,應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、長(zhǎng)距離數(shù)據(jù)傳輸、手機(jī)、基站等。

  鈮酸鋰薄膜調(diào)制器優(yōu)勢(shì):

  體積小,穩(wěn)定性好,帶寬大,傳輸速率高,功耗低,CMOS 驅(qū)動(dòng)電壓兼容,可實(shí)現(xiàn)光集成。

  300-900nm 鉭酸鋰單晶薄膜


  產(chǎn)品可應(yīng)用于高性能濾波器(SAW),應(yīng)用于手機(jī)及無(wú)線通信領(lǐng)域。

  薄膜濾波器的Q值高,插入損耗低,陡直度好,Fs穩(wěn)定性好, TCF小,散熱性好,制造成本低。



  關(guān)于濟(jì)南晶正電子科技有限公司

  濟(jì)南晶正電子科技有限公司是一家集光電晶體薄膜材料研發(fā)、生產(chǎn)及銷售于一體的高新技術(shù)企業(yè)。

  公司擁有產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)基地以及中美晶體薄膜材料合作研究中心,由海歸學(xué)者領(lǐng)軍研發(fā),在國(guó)際上率先開發(fā)出300-700納米厚度鈮酸鋰單晶薄膜材料產(chǎn)品,可用于制作調(diào)制器、濾波器及高密度信息存儲(chǔ)器件等,在壓電、鐵電、紅外探測(cè)等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景,可極大提高光通訊系統(tǒng)的傳輸能力和集成度,能夠帶來巨大經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。

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