芯速聯光電楊明：構建芯片模塊垂直研發(fā)制造 賦能高速光模塊核心競爭力

  ICC訊 6月15日，在2023中國光網絡研討會（OPTiNET CHINA）上，高速光芯片與光模塊供應商商寧波芯速聯光電科技有限公司(簡稱“芯速聯”)創(chuàng)始人＆首席執(zhí)行官楊明發(fā)表了《基于自研芯片平臺的400G/800硅光模塊已開啟量產征程》的演講匯報，介紹了公司核心競爭力的成長，包括從硅光芯片到模塊的垂直整合能力，高性能產品量產情況，以及超級制造工廠的建設進展。

  2023年以來，伴隨著人工智能應用ChatGPT風靡全球拉開了世界AI時代的帷幕，英偉達最新GH200 Grace Hopper 超級芯片和DGX GH200 超級計算機系統(tǒng)，以其強大的算力性能和通信硬件賦能 AI和數據中心發(fā)展。在傳統(tǒng)云服務需求之外，AI算力需求正在成為光通訊技術產業(yè)全新增長驅動力， 400G/800G光模塊器件作為AI算力性能的關鍵硬件之一，其市場需求逐步超越行業(yè)預期。面對AI、云計算、互聯網流量驅動高速光模塊市場加速放量，光通信如何及時抓住市場機遇？楊明認為，充足的制造能力和垂直的研發(fā)能力是保障企業(yè)核心競爭力，贏下市場份額的關鍵。

  在制造方面，芯速聯擁有Chip-to-Transciver生產體系，在光芯片設計環(huán)節(jié)，公司享有專利的Hyper Silicon芯片技術可以自主研發(fā)具有更低損耗、更高帶寬的PIC（光子集成電路）和AWG（平面光波導）芯片。在芯片制造環(huán)節(jié)，芯速聯與世界領先的SiPh（硅光）晶圓公司合作進行獨特的SiPh晶圓和芯片后段處理。在芯片封裝和光模塊生產方面，芯速聯擁有自動化耦合與側能力，通過專有的光組件設計和開發(fā)完成光芯片封裝，隨后通過低成本、高可靠性的COB封裝產線完成光模塊的批量生產。

  在研發(fā)方面，芯速聯建立了從硅光芯片到硅光模塊的垂直研發(fā)體系，包括AWG波分光器件芯片設計平臺、四通道/八通道光引擎/模塊設計平臺、硅光器件芯片設計平臺和DSP芯片設計平臺。目前公司已經完成800G-1.6T關鍵技術的儲備，基于器件三位建模、光耦合/光學器件/器件高速信號仿真，以及高速PCB布線設計等能力，具備生光模塊各個環(huán)節(jié)的技術能力，持續(xù)推動產品更新迭代。

  楊明介紹，芯速聯將公司所有技術特點整合成為Hyper Silicon解決方案，該方案具有八個優(yōu)勢，表現為PAM4自研平臺可以最小化每吉比特價格，最大化帶寬的密度和可擴展性；PIC的小尺寸和簡單耦合可以使分立式成本降低30%；差分驅動調制器可以提供高調制效率并支持Serdes直驅；高帶寬MZ調制器可支持高達200G/lane的動態(tài)帶寬調制；硅光芯片SiN邊緣耦合可以消除非線性效應以支持20dBm的高輸入功率；芯片后處理到模塊測試的全自動化；MES制造系統(tǒng)監(jiān)控生產；以及12000平方米超級工廠快速響應需求激增。

  在Hyper Silicon PIC技術方面，楊明進一步介紹到，芯速聯工程團隊來自全球，累計擁有超過35年的SiPh設計經驗，完成超過30次流片掩膜，在AWG、相干 PIC、4x25G PSM4等SiPh器件擁有成功經驗。公司團隊開發(fā)的Hyper Silicon PIC面向400G DR4、800G DR8/DR4、1.6T DR8等主流市場產品應用，可實現53.125Gbaud，具有4.5dB高消光比，通過采用邊緣耦合設計支持低損耗光纖陣列或透鏡耦合實現極低的片上損耗（<9dB）?；贖yper Silicon PIC的400G DR4光模塊TX功率、消光比、TDECQ和RX靈敏度（OMA）等皆領先于業(yè)內平均水準。

  在產品發(fā)展和規(guī)劃方面，芯速聯基于Hyper Silicon PAM4的400G DR4/800G DR8和相干400G ZR/ZR+模塊已在今年一季度正式量產，該產品的直驅版本預計于明年二季度推出樣品。公司800G產品正在送樣，明年有望實現部分產品量產。此外，公司的寧波中試線已經完成從芯片到模塊的研發(fā)制造平臺建設，安徽超級工廠將在第二季度完成，將實現高速光模塊年產能75萬只，覆蓋400G/800G及1.6T 等產品，為贏得高速光模塊市場升級換代機遇搶占先機。