【訊石光通訊咨詢網(wǎng)】日前,科技部門戶網(wǎng)發(fā)布國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃信息技術(shù)領(lǐng)域2014年度備選項(xiàng)目征集指南。國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(以下簡(jiǎn)稱“863計(jì)劃”),是以解決事關(guān)國(guó)家長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展和國(guó)家安全的戰(zhàn)略性、前沿性和前瞻性高技術(shù)問題為核心,重點(diǎn)落實(shí)前沿技術(shù)研究任務(wù)和部分重點(diǎn)領(lǐng)域中的重大研究任務(wù)。
其中,寬帶模擬通信用光收發(fā)陣列芯片與模塊、可重構(gòu)光分插復(fù)用核心光子器件、100Gb/s中長(zhǎng)距離光互連芯片及模塊紛紛入圍了863計(jì)劃2014年度備選項(xiàng)目。
寬帶模擬通信用光收發(fā)陣列芯片與模塊
為滿足4G移動(dòng)通信中寬頻帶傳輸和低功耗無線接入的重大需求,研究高線性直接調(diào)制激光器陣列芯片、高頻大功率光探測(cè)器陣列芯片、陣列芯片模塊化耦合封裝、多制式寬頻帶光載無線傳輸與分配等關(guān)鍵技術(shù),并進(jìn)行系統(tǒng)示范應(yīng)用,填補(bǔ)國(guó)內(nèi)高線性模擬通信光收發(fā)模塊的空白。下設(shè)2個(gè)研究方向。
1)高線性激光器和光探測(cè)器陣列芯片(國(guó)撥經(jīng)費(fèi)限1100 萬元,實(shí)施年限3年)
針對(duì)光載無線(RoF)組網(wǎng)技術(shù)對(duì)激光器和光探測(cè)器的要求,研制出模擬通信激光器陣列芯片,研制1310nm波段4通道模擬通信激光器陣列芯片和大功率光探測(cè)器陣列芯片,高頻響應(yīng)覆蓋X波段以下頻率范圍,激光器單信道出纖光功率大于6dBm、光探測(cè)器飽和光功率大于5dBm。
2)寬頻帶光收發(fā)模塊與系統(tǒng)驗(yàn)證(國(guó)撥經(jīng)費(fèi)限1100萬元,實(shí)施年限3年)
針對(duì)光載無線(RoF)組網(wǎng)技術(shù)對(duì)光發(fā)射機(jī)和光接收機(jī)的要求,研究大動(dòng)態(tài)直接調(diào)制激光器和探測(cè)器集成芯片的微波封裝技術(shù),研制傳輸帶寬大于10GHz的4通道模擬通信光收發(fā)模塊,傳輸距離大于10km,并完成系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。
可重構(gòu)光分插復(fù)用核心光子器件
面向任意波長(zhǎng)、任意方向、無阻塞高速光路由器,研制可重構(gòu)光分插復(fù)用(ROADM)中,波長(zhǎng)選擇開關(guān)及寬帶可調(diào)濾波器陣列等核心光子芯片技術(shù),在多端口、高速切換、多功能陣列芯片集成等方面取得重要突破,填補(bǔ)大容量數(shù)據(jù)交換技術(shù)的空白。下設(shè)2個(gè)研究方向。
1)波長(zhǎng)選擇開關(guān)及寬帶可調(diào)濾波器陣列(國(guó)撥經(jīng)費(fèi)限900萬元,實(shí)施年限3年)
針對(duì)下一代ROADM的要求,研究空間光束的大角度偏轉(zhuǎn)技術(shù)、空間光束無縫分割技術(shù)、無柵格光譜分割技術(shù),實(shí)現(xiàn)端口數(shù)為8×16、寬帶設(shè)置范圍為40nm無柵格波長(zhǎng)選擇開關(guān)芯片;研制帶內(nèi)平坦度小于0.5dB寬帶可調(diào)16通道光濾波器陣列芯片。
2)陣列芯片的模塊化封裝與系統(tǒng)驗(yàn)證(國(guó)撥經(jīng)費(fèi)限限1100 萬元,實(shí)施年限3年)
針對(duì)下一代ROADM的要求,研究波長(zhǎng)選擇開關(guān)及寬帶可調(diào)濾波器陣列的模塊化封裝技術(shù),實(shí)現(xiàn)切換時(shí)間小于250ms、插入損耗小于9dB無柵格波長(zhǎng)選擇開關(guān)模塊;實(shí)現(xiàn)插入損耗小于6dB、回波損耗大于40dB寬帶可調(diào)光濾波器陣列模塊;并實(shí)現(xiàn)滿足任意波長(zhǎng)、任意方向、無阻塞ROADM的系統(tǒng)演示驗(yàn)證。
100Gb/s中長(zhǎng)距離光互連芯片及模塊
研究100Gb/s光互連芯片技術(shù),突破4×25Gb/s直接調(diào)制激光器(DML)陣列芯片、4×25Gb/s電吸收調(diào)制器與DFB激光器集成器件(EML)陣列芯片和4×25Gb/s光電探測(cè)器陣列芯片制備關(guān)鍵技術(shù),實(shí)現(xiàn)100Gb/s光互連的業(yè)務(wù)演示。下設(shè)2個(gè)研究方向。
1) 1310nm波段4×25Gb/s激光器和探測(cè)器陣列芯片(國(guó)撥經(jīng)費(fèi)限1500 萬元,實(shí)施年限3年)
研制4通道直接調(diào)制激光器(DML)陣列和電吸收調(diào)制器與DFB激光器集成器件(EML)陣列兩類光發(fā)射芯片,調(diào)制速率均大于28Gb/s,動(dòng)態(tài)消光比分別大于6dB和10dB,發(fā)射波長(zhǎng)為1310nm波段中符合ITU-T規(guī)范的4個(gè)波長(zhǎng),波長(zhǎng)信道間隔400GHz,邊模抑制比大于35dB。研制4通道高速光電探測(cè)器陣列芯片,工作速率大于28Gb/s。
2)100Gb/s光互連光收發(fā)模塊及系統(tǒng)驗(yàn)證(國(guó)撥經(jīng)費(fèi)限1000萬元,實(shí)施年限3年)
研究滿足IEEE 802.3 標(biāo)準(zhǔn)的100Gb/s光互連4通道直接調(diào)制激光器(DML)陣列和電吸收調(diào)制器,DFB激光器集成器件(EML)陣列光收發(fā)模塊,單通道工作速率大于25Gb/s、功耗小于3.5W、工作溫度范圍0-70攝氏度,兩類光收發(fā)模塊傳輸距離分別大于10km和40km,并進(jìn)行系統(tǒng)示范驗(yàn)證。
值得注意的是,申報(bào)單位需按要求完成網(wǎng)上申報(bào),并通過各推薦主體報(bào)送正式文件。而新材料、交通、先進(jìn)能源、先進(jìn)制造、信息、地球觀測(cè)與導(dǎo)航等領(lǐng)域?yàn)?013年5月15日8:00至5月31日17:00,另外,北京地區(qū)推薦單位的紙質(zhì)申報(bào)材料請(qǐng)于網(wǎng)上申報(bào)截止后一周內(nèi)報(bào)送相關(guān)受理單位,京外推薦單位10日內(nèi)報(bào)送。2014年項(xiàng)目(課題)申報(bào)將按領(lǐng)域分期受理,逾期不予受理。
其中,本指南申報(bào)方向均為前沿技術(shù)類,項(xiàng)目實(shí)施年限原則上為3年。