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化合物半導體推動10G40G市場增長

訊石光通訊網(wǎng)   發(fā)布時間:2008/7/18 9:05:59   編者:iccsz    
摘要：根據(jù)Strategy Analytics最新發(fā)表的《2007-2012年光纖模擬IC市場預測報告》顯示，GaAs和InP技術(shù)將推動10G/40G市場的增長。
    根據(jù)Strategy Analytics最新發(fā)表的《2007-2012年光纖模擬IC市場預測報告》顯示，GaAs和InP技術(shù)將推動10G/40G市場的增長。
 
    未來5年時間里，10G/40G市場的年復合增長率將達到28%，其中到2012年，基于GaAs和InP的轉(zhuǎn)阻放大器（TIA）、后置放大器以及激光芯片驅(qū)動器將占光纖模擬IC市場25%的份額。
 
    預計到2012年之前，整體光纖模擬IC市場將保持9%的年復合增長率。受固網(wǎng)寬帶和移動業(yè)務的快速發(fā)展影響，未來10G/40G網(wǎng)絡基礎設施將以最快的速度部署，這將帶動整體光纖模擬IC市場的發(fā)展。
 
    預計到2012年全球轉(zhuǎn)阻放大器（TIA）、后置放大器以及激光芯片驅(qū)動器的總市場產(chǎn)值將接近5億美圓，屆時CMOS和SiGe技術(shù)將主導這部分市場。而GaAs和InP技術(shù)將推動10G/40G市場的增長，尤其是在激光驅(qū)動器領域。(
內(nèi)容來自：光電新聞網(wǎng)
本文地址：http://m.odinmetals.com//Site/CN/News/2008/07/18/20080718010634343750.htm 轉(zhuǎn)載請保留文章出處
關鍵字: 半導體
文章標題:化合物半導體推動10G40G市場增長
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