臺(tái)積電1.4nm制程命名為A14 有望于2027-2028年量產(chǎn)

  ICC訊 臺(tái)積電在IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）的“邏輯的未來(lái)”小組上透露，臺(tái)積電1.4nm級(jí)制造技術(shù)的開(kāi)發(fā)進(jìn)展順利進(jìn)行。臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)，使用其2nm級(jí)制造工藝的量產(chǎn)有望在2025年實(shí)現(xiàn)。

  根據(jù)SemiAnalysis的Dylan Patel發(fā)布的幻燈片，臺(tái)積電的1.4nm生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)正式命名為A14。目前，臺(tái)積電尚未透露計(jì)劃何時(shí)開(kāi)始A14量產(chǎn)時(shí)程及其規(guī)格，但鑒于N2計(jì)劃于2025年末、N2P計(jì)劃于2026年末，因此可以合理猜測(cè)A14會(huì)在此之后2027-2028年間推出。

  但目前仍尚不清楚，臺(tái)積電是否會(huì)采用垂直堆疊互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CEFT）結(jié)構(gòu)，或是沿用2nm制程將采用的環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GAAFET）。

  仍有待觀察的是，臺(tái)積電是否會(huì)在2027年至2028年期間為其A14工藝技術(shù)采用高數(shù)值孔徑EUV（High NA EUV）光刻機(jī)。

  鑒于彼時(shí)英特爾等將采用并完善數(shù)值孔徑為0.55的下一代EUV光刻機(jī)，芯片代工廠商應(yīng)該更容易地使用它。然而，由于高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)將掩模版尺寸減半，其使用將為芯片設(shè)計(jì)者和芯片制造商帶來(lái)一些額外的挑戰(zhàn)。