臺(tái)積電預(yù)計(jì)2023年芯片需求將下滑，重申2nm工藝2025年量產(chǎn)

  ICC訊 7月14日消息，在今日舉行的財(cái)報(bào)電話(huà)會(huì)上，臺(tái)積電發(fā)布了 2 季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示第 2 季合并營(yíng)收約達(dá)新臺(tái)幣 5,341.4 億元(約人民幣 120.5 億元)，稅后凈利潤(rùn)約 2,370.3 億元(約人民幣 53.47 億元)。

  臺(tái)積電表示，公司 2022 年銷(xiāo)售額(以美元計(jì)算)預(yù)計(jì)增長(zhǎng) 30% 左右，并且今年產(chǎn)能不會(huì)受設(shè)備供應(yīng)延遲的影響。不過(guò)，目前客戶(hù)需求仍超過(guò)公司供應(yīng)能力，今年產(chǎn)能持續(xù)吃緊。

  對(duì)于芯片需求前景，臺(tái)積電稱(chēng) 2023 年將出現(xiàn)一個(gè)典型的芯片需求下滑周期，但整體下滑程度將好于 2008 年。同時(shí)，公司預(yù)計(jì)客戶(hù)將開(kāi)始減少庫(kù)存，但目前高端智能手機(jī)庫(kù)存不太多。因此對(duì)于臺(tái)積電而言，2023 年依然是“增長(zhǎng)之年”。

  此外，公司 2023 年的增長(zhǎng)將由先進(jìn)技術(shù)支撐，高性能計(jì)算(HPC)將成為長(zhǎng)期增長(zhǎng)的主要引擎。公司目前預(yù)計(jì) 2023 年產(chǎn)能利用率將保持良好。

  在下一代芯片投產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)方面，臺(tái)積電重申公司 3nm(N3)芯片將于今年下半年投產(chǎn)，明年上半年貢獻(xiàn)營(yíng)收。值得一提的是，臺(tái)積電的 3nm 工藝有眾多衍生版本，包括 N3、N3P、N3S、N3X、N3E，會(huì)陸續(xù)在未來(lái)兩三年內(nèi)量產(chǎn)。

  對(duì)于 2nm 芯片(N2)，臺(tái)積電重申其將于 2025 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。2nm 芯片是臺(tái)積電的一個(gè)重大節(jié)點(diǎn)，該工藝將會(huì)采用納米片晶體管(Nanosheet)，取代鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)，這意味著臺(tái)積電工藝正式進(jìn)入 GAA 晶體管時(shí)代。其中，2nm 芯片相較于 3nm 芯片，在相同功耗下，速度快 10~15%。在相同速度下，功耗降低 25~30%。

  臺(tái)積電第二季度 5nm 制程晶圓出貨量占據(jù)公司營(yíng)收的 21%(前季 20%)，7nm 制程晶圓出貨量占據(jù)公司營(yíng)收的 30%(前季 30%)，本季度 5nm 制程工藝營(yíng)收繼續(xù)提升，但還未超過(guò) 7nm 制程工藝帶來(lái)的營(yíng)收。此外，臺(tái)積電先進(jìn)制程 (7nm 及更先進(jìn)制程) 營(yíng)收總占比達(dá)到 51%，較前季的 50% 繼續(xù)擴(kuò)大。