新思科技與三星合作，加速推廣變革性3納米GAA技術(shù)

  ICC訊 7月12日消息，新思科技(Synopsys)近日宣布，其Fusion Design Platform?已支持三星晶圓廠實現(xiàn)一款先進高性能多子系統(tǒng)片上系統(tǒng)(SoC)一次性成功流片，驗證了下一代3納米(nm)環(huán)繞式柵極(GAA)工藝技術(shù)在功耗、性能和面積(PPA)方面的優(yōu)勢。此次流片成功是新思科技和三星之間廣泛合作的成果，旨在加快提供高度優(yōu)化的參考方法學，實現(xiàn)全新3D晶體管架構(gòu)所固有的卓越功耗和性能。

  新思科技提供的參考流程全面部署了其高度集成的Fusion Design Platform，包括業(yè)界唯一高度集成的、基于金牌簽核引擎的RTL到GDSII設計流程，以及最受業(yè)界信賴的金牌簽核產(chǎn)品。采用三星最新3nm GAA工藝的客戶，可在高性能計算(HPC)、5G、移動應用和人工智能 (AI) 應用領(lǐng)域, 為下一代設計實現(xiàn)理想PPA目標。

  三星晶圓設計技術(shù)團隊副總裁Sangyun Kim表示：“三星晶圓是推動下一階段行業(yè)創(chuàng)新的核心，我們基于工藝技術(shù)的持續(xù)演進，來滿足專業(yè)和廣泛市場應用日益增長的需求。我們?nèi)碌南冗M3納米GAA工藝得益于我們與新思科技的廣泛合作，F(xiàn)usion Design Platform讓我們加速實現(xiàn)3納米工藝的前景，這也充分彰顯了與行業(yè)領(lǐng)先者合作的重要性和優(yōu)勢。"

  根據(jù)摩爾定律，晶體管尺寸要進一步縮小，而GAA架構(gòu)為更高的晶體管密度提供了經(jīng)過流片驗證的途徑。GAA架構(gòu)改進了靜電特性，從而可提高了性能并降低了功耗，并帶來了基于納米片寬度這一工藝矢量的全新優(yōu)化機會。這種額外的自由度與成熟的電壓閾值調(diào)諧相結(jié)合，擴大了優(yōu)化解決方案的空間，從而更精細化地控制總體目標設計PPA指標的實現(xiàn)。新思科技和三星開展密切合作，加速這一變革性技術(shù)的可用性并進一步提高效能，從而在新思科技的Fusion Compiler和IC CompilerII中實現(xiàn)了全流程、高收斂度優(yōu)化。

  不斷優(yōu)化的新思科技Fusion Design Platform為應對來自先進節(jié)點的各種挑戰(zhàn)提供了完美的解決方案，這些挑戰(zhàn)包括復雜的庫單元擺放和布局規(guī)劃規(guī)則、新的布線規(guī)則和更加明顯的工藝變化?；趩我粩?shù)據(jù)模型以及共享通用優(yōu)化架構(gòu)，F(xiàn)usion Design Platform平臺可確保單點技術(shù)更新也能夠幫助設計的優(yōu)化收斂、盡可能消除系統(tǒng)裕度，以實現(xiàn)更快的收斂周期。

  新思科技數(shù)字設計事業(yè)部總經(jīng)理Shankar Krishnamoorthy表示：“GAA晶體管結(jié)構(gòu)是工藝技術(shù)進步的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點，對于延續(xù)工藝進步趨勢至關(guān)重要，為下一波超大規(guī)模創(chuàng)新提供保障。我們與三星晶圓的戰(zhàn)略合作，旨在共同提供一流的技術(shù)和解決方案，確保工藝進步趨勢的延續(xù)，為更廣泛的半導體行業(yè)帶來全新機會。"

  關(guān)于3納米GAA工藝的新思科技技術(shù)文檔可通過三星晶圓獲取。新思科技Fusion Design Platform中經(jīng)過驗證的關(guān)鍵產(chǎn)品包括：

  數(shù)字設計

  *Fusion Compiler是業(yè)界唯一的RTL到GDSII產(chǎn)品

  *IC Compiler II布局布線解決方案

  *Design Compiler® RTL綜合解決方案

  簽核

  *PrimeTime®業(yè)界金牌標準時序簽核解決方案

  *StarRC?寄生參數(shù)提取-簽核解決方案

  *IC Validator物理簽核解決方案

  *SiliconSmart®庫特性描述解決方案