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臺積電發(fā)表4、3納米制程進展/3DFabric方案

摘要:日前臺積公司首度舉辦線上技術論壇及開放創(chuàng)新平臺(Open Innovation Platform, OIP)生態(tài)系統(tǒng)論壇,會中展示先進邏輯技術、特殊技術、三維積體電路(3DIC)系統(tǒng)整合解決方案、以及其設計實現(xiàn)生態(tài)系統(tǒng)的最新發(fā)展。N5技術今年已進入量產(chǎn)。此外還揭示了5納米家族的最新成員——N4制程。

 ICC訊 日前臺積公司首度舉辦線上技術論壇及開放創(chuàng)新平臺(Open Innovation Platform, OIP)生態(tài)系統(tǒng)論壇,會中展示先進邏輯技術、特殊技術、三維積體電路(3DIC)系統(tǒng)整合解決方案、以及其設計實現(xiàn)生態(tài)系統(tǒng)的最新發(fā)展。新冠肺炎疫情期間,臺積公司采用線上論壇,與客戶及生態(tài)系統(tǒng)伙伴們維持連系,共計超過 5,000位注冊參與者。

日前臺積公司首度舉辦線上技術論壇及開放創(chuàng)新平臺生態(tài)系統(tǒng)論壇圖片來源:臺積電

  臺積公司總裁魏哲家表示,全球社會面臨嚴峻考驗的時刻,人們仰賴科技來彼此溝通、互相打氣,客戶的創(chuàng)新設計讓整個世界變得更加智慧化、更具連結性,臺積公司致力于以最先進的邏輯技術、連結實體與數(shù)位世界的特殊制程組合、先進封裝技術、以及完備的系統(tǒng)整合解決方案來協(xié)助客戶釋放創(chuàng)新。

  論壇焦點包括:

  N5技術今年已進入量產(chǎn),隨著產(chǎn)能持續(xù)拉升,良率提升的速度亦較前一世代快速。相較于前一世代的N7技術,N5速度增快15%、功耗降低30%、邏輯密度增加達80%。奠基于N5技術,臺積公司預計于2021年量產(chǎn)加強版的N5P制程,速度可再增快 5%,功耗再降低10%。

  此外,臺積公司揭示了5納米家族的最新成員——N4制程,N4進一步提升效能、功耗、以及密度來滿足多樣化產(chǎn)品的需求,除了減少光罩層來簡化制程,N4可借助5納米的設計生態(tài)系統(tǒng),順利從N5升級,并預計于2021年第四季開始試產(chǎn),2022年進入量產(chǎn)。

  展望下一世代技術,臺積公司N3制程開發(fā)進度符合預期,將成為全球先進的邏輯技術。相較于N5技術,N3速度增快15%,功耗降低達30%,邏輯密度增加達70%。隨著半導體架構的創(chuàng)新,臺積公司從5納米往前推進了一個世代的制程。

  此外,N12e制程已進入試產(chǎn)階段,能夠提供強大的運算效能與優(yōu)異的功耗效 率,支援人工智慧邊緣運算應用。N12e將臺積公司的FinFET電晶體技術導入邊緣裝置,藉由強化的超低漏電裝置與靜態(tài)隨機存取記憶體。相較于前一世代的22ULL技術,N12e的邏輯密度增加超過1.75倍,效能提升約1.5倍,功耗減少一半。做為12FFC+制程的加強版,N12e合應用于支援人工智慧的物聯(lián)網(wǎng)裝置,提供強大的功能執(zhí)行力,例如,理解自然語言或影像分類,同時提升功耗效率。N12e也能夠支援用電池供電的強大人工智慧物聯(lián)網(wǎng)裝置。

  臺積公司亦推出3DFabric,整合三維積體電路系統(tǒng)解決方案,透過穩(wěn)固的晶片互連打造出良好的系統(tǒng)。藉由不同的選項進行前段晶片堆疊與后段封裝,3DFabric協(xié)助客戶將多個邏輯晶片連結在一起,并串聯(lián)高頻寬記憶體(HBM),或異質小晶片,例如類比、輸入/輸出、以及射頻模組。3DFabric能夠結合后段3D與前段3D技術的解決方案,提供系統(tǒng)整合中的乘數(shù)效應。同時,3DFabric能與電晶體微縮互補,持續(xù)提升系統(tǒng)效能與功能性,縮小尺寸外觀,并且加快 產(chǎn)品上市時程。3DFabric包含臺積公司的系統(tǒng)整合晶片(TSMC-SoICTM)技術、CoWoS技術、以及整合型扇出(InFO)技術。

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