ECOC PDP！NOEIC重磅發(fā)布硅光芯片創(chuàng)新成果

  ICC訊 日前，國家信息光電子創(chuàng)新中心（NOEIC）和中信科集團光纖通信技術與網(wǎng)絡國家重點實驗室在超高速硅光芯片技術方向取得重要進展，首次利用硅光微環(huán)調(diào)制器產(chǎn)生了200 Gb/s PAM4光信號(此前最高水平為Intel的128Gb/s)，并成功實現(xiàn)2km單模光纖傳輸。該成果為下一代800G光模塊和共封裝(co-packaged)光子引擎提供了超低功耗超高集成度的芯片技術方案。

  國家信息光電子創(chuàng)新中心的這項成果在ECOC 2020會議上作為PDP(post-deadline paper，在截稿日期之后被接收的論文)論文發(fā)表，這也是繼去年之后，NOEIC連續(xù)第二年發(fā)表ECOC PDP報告。ECOC大會PDP論文旨在發(fā)布光通信領域的最新技術進展和紀錄性成果，代表著業(yè)內(nèi)當前最高技術水平。本屆ECOC會議的PDP文章僅有7篇，而NOEIC的論文是本屆會議上唯一1篇光芯片類的PDP文章，也是唯一一個完全依托中國單位和研究人員完成的工作。

  隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能等的快速發(fā)展，下一代數(shù)據(jù)中心光互連亟需將單通道速率從當前的100Gb/s升級到200Gb/s。而本工作中的超高速硅基微環(huán)調(diào)制器由于具有高帶寬、小尺寸、低驅(qū)動電壓和低功耗等眾多優(yōu)點，為下一代低成本、低功耗的高速光互連提供了非常有競爭力的解決方案。

  此次NOEIC和中國信科的研發(fā)人員基于帶寬大于67GHz(受限于測試設備，外推帶寬為79GHz)的硅基微環(huán)調(diào)制器，結(jié)合自主開發(fā)的奈奎斯特整形和自適應均衡算法，成功演示了單通道120Gb/s OOK和200Gb/s PAM4高速光信號的產(chǎn)生，實現(xiàn)了目前國際上速率最高的硅光調(diào)制器。

NOEIC和中信科在ECOC2020(歐洲光纖通訊展覽會)發(fā)表的PDP論文

  作為工信部批復的國家級創(chuàng)新研發(fā)機構(gòu)，國家信息光電子創(chuàng)新中心一直以來十分重視硅光技術的研發(fā)和標準化工作。先后取得國內(nèi)首款100G硅基相干光收發(fā)芯片等突破性成果，多款光芯片產(chǎn)品實現(xiàn)了國產(chǎn)化替代。近日，創(chuàng)新中心聯(lián)合中信科集團、中國信息通信研究院、中興通訊等國內(nèi)優(yōu)勢單位，圍繞800Gb/s光器件及硅光技術共提交多項光器件行業(yè)標準和研究課題，均獲得立項。面向硅光技術帶來的重大產(chǎn)業(yè)變革，國家信息光電子創(chuàng)新中心將充分發(fā)揮行業(yè)引領示范作用，聯(lián)合國內(nèi)科研和產(chǎn)業(yè)重點單位，全力推動高端光電子芯片的技術攻關、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化和標準化工作。