ICCSZ訊 Polymicro 200/230 PolyClad 光纖用于工廠自動(dòng)化和過(guò)程控制應(yīng)用的短至中等距離數(shù)據(jù)通信,專有的silica-based 200 µm硬聚合物覆層光纖具有遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 150 kpsi的抗張強(qiáng)度 ,并且在650 nm下典型衰減≤10 dB/km,在850 nm下 ≤6 dB/km (新加坡 – 2013年10月15日) 全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商。
Molex公司子公司Polymicro Technologies成功地開(kāi)發(fā)了一款包含low -OH 合成熔融石英(synthetic fused silica)內(nèi)芯的光纖產(chǎn)品,PolyClad™硬聚合物覆層和ETFE 緩沖器/護(hù)套jacket。其特性是具有高抗張強(qiáng)度和最小彎曲半徑,實(shí)現(xiàn)了高可靠性。Polymicro 200/230 PolyClad光纖適合工廠自動(dòng)化和過(guò)程控制應(yīng)用中的短至中等距離數(shù)據(jù)通信,能夠耐受嚴(yán)苛溫度、化學(xué)品和輻射環(huán)境。
Molex業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理Imke Kuester稱:“我們?nèi)碌膶捁庾V200 µm硬聚合物覆層光纖經(jīng)過(guò)優(yōu)化,在650和850 nm下的典型衰減分別低于10和6 dB/km,具有遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)150 kpsi的抗張強(qiáng)度,以及最小彎曲半徑,實(shí)現(xiàn)了高可靠性。Polymicro的200/230 PolyClad光纖具有出色的性能,并且結(jié)合了耐受可能導(dǎo)致退化和縮短產(chǎn)品壽命的嚴(yán)苛溫度、化學(xué)品和輻射的特性。”
200/230 PolyClad光纖兼容壓接和切割,并且符合 Euro RoHS標(biāo)準(zhǔn),具有大型200 µm內(nèi)芯和大數(shù)值孔徑,實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)便的端接和高光源耦合效率。由于具有高覆層/內(nèi)徑比例,連接器偏移最大限度減小至≤5 µm。由于抗張強(qiáng)度≥150 kpsi、最小彎曲半徑≥10 mm (短期)和≥16 mm (長(zhǎng)期),并且在850nm下典型衰減≤6 dB/km,在650nm下≤10 dB/km,即使在嚴(yán)苛的環(huán)境條件下,Polymicro光纖也是非??煽康摹?/p>
200/230 PolyClad光纖設(shè)計(jì)用于一系列高性能短至中等距離數(shù)據(jù)通信,用于廣泛的工廠自動(dòng)化和過(guò)程控制應(yīng)用,包括化工廠、精煉廠、航空電子、汽車、生產(chǎn)和制造廠、移動(dòng)平臺(tái),風(fēng)力渦輪、發(fā)電廠和PLC中的應(yīng)用。