美擬對華禁售半導(dǎo)體設(shè)備 專家：最大受害者可能是韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

  ICC訊 美國擬對中企禁售NAND閃存設(shè)備，韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)或‘躺槍’”，韓國《亞洲經(jīng)濟》8月2日的報道稱，美國繼對華禁售14納米以下光刻機等半導(dǎo)體設(shè)備后，正在考慮限制向中國存儲半導(dǎo)體制造商出口美國半導(dǎo)體制造設(shè)備，三星電子和SK海力士等韓國半導(dǎo)體大廠或因此蒙受損失。

  報道稱，美方此次計劃禁止對華銷售用于制造128層堆疊以上的NAND閃存芯片設(shè)備，限制對象包括長江存儲等，目前尚處于初步討論階段，暫無起草計劃。目前生產(chǎn)制造128層堆疊以上的NAND閃存芯片設(shè)備包括美國的應(yīng)用材料公司和泛林集團等企業(yè)。若這項限制計劃最終獲批，將是美方首次通過出口管制來限制中國生產(chǎn)非軍事用途的存儲芯片。

  有專家認為，這項計劃最大的受害者有可能是韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，尤其是三星電子和SK海力士。目前三星電子在西安和蘇州建有兩座NAND閃存芯片工廠，SK海力士則在無錫、重慶和大連建有生產(chǎn)線。SK海力士此前完成收購英特爾在中國的NAND閃存芯片制造業(yè)務(wù)。若美方此次計劃獲批，美國芯片設(shè)備將被禁止運往這兩家韓企位于中國的工廠。資料顯示，成立于2016年的長江存儲已成功量產(chǎn)128層NAND閃存芯片，并有傳聞稱最快可能于2022年年底量產(chǎn)232層NAND閃存芯片。美國白宮在去年6月發(fā)布的一份報告中指出，長江存儲的擴張戰(zhàn)略對美光科技、西部數(shù)據(jù)等美國企業(yè)構(gòu)成“直接威脅”。