“光電探測(cè)器是現(xiàn)代通信和在線服務(wù)的速度極度依賴的超快光子器件之一,理想的光電探測(cè)器滿足高量子效率、低暗電流、寬輸入功率動(dòng)態(tài)范圍、單通道高達(dá)100Gbit/s。中國(guó)信息通信科技集團(tuán)有限公司CICT提出的硅上鍺光電二極管架構(gòu),使用與鍺吸收區(qū)平行的氮化硅波導(dǎo),使光電探測(cè)器的響應(yīng)度增加近兩倍,傳輸速率高達(dá)180 Gbit/s”
在信息時(shí)代,我們所享受的即時(shí)通信和在線服務(wù),依賴超快硅光子器件的發(fā)展。硅光子學(xué)是量子通信、相干通信和數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵技術(shù),硅光子器件實(shí)現(xiàn)了高吞吐的光信號(hào)傳輸與轉(zhuǎn)換。其中,硅光子光電探測(cè)器將接收到的光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。隨著信息流量的持續(xù)增加,迫切需要小型化、高速、高效率的光電探測(cè)器。
理想的光電探測(cè)器應(yīng)要有高量子效率、低暗電流、寬輸入功率動(dòng)態(tài)范圍、單通道高達(dá)100Gbit/s。然而硅材料在1.3–1.55微米通信波段是低量子效率的,而鍺(Ge)材料具有大吸收系數(shù),具有優(yōu)異的光電特性。近日,中國(guó)信息通信科技集團(tuán)有限公司CICT的Xi Xiao等人在Optics Letters,發(fā)表了題為“180 Gbit/s Si3N4-waveguide coupled germanium photodetector with improved quantum efficiency”的研究結(jié)果,報(bào)道了一種高量子效率的高速氮化硅波導(dǎo)耦合鍺光電探測(cè)器。
Si3N4波導(dǎo)耦合光電探測(cè)器示意圖
該工作在商用90納米硅光子工藝平臺(tái)上完成,通過(guò)將錐形氮化硅波導(dǎo)和底部硅之間的間距減小到200納米,并將氮化硅的厚度減小到300納米,顯著改善量子效率。在1550納米波長(zhǎng)的光電響應(yīng)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果是0.61安/瓦,以及高達(dá)180Gbit/s的四電平脈沖幅度調(diào)制,是迄今為止所報(bào)道的最高數(shù)據(jù)速率。
眼圖:3.3V偏置條件下測(cè)量的150、160、170和180 Gbit/s
該研究被OSA選為焦點(diǎn)工作,Periklis Petropoulos在焦點(diǎn)總結(jié)(Spotlight Summary )中指出:“……研究一種硅上鍺光電二極管架構(gòu),它能夠以極高的速度工作,同時(shí)又實(shí)現(xiàn)高效率,它使用與鍺吸收區(qū)平行的氮化硅波導(dǎo),確保光生載流子的均勻分布,……,這是一個(gè)重大的結(jié)果,進(jìn)一步推動(dòng)了芯片上最快元件的競(jìng)爭(zhēng)!”
參考文獻(xiàn):
1. Xiao Hu, Dingyi Wu, Daigao Chen, Lei Wang, Xi Xiao, and Shaohua Yu. 180 Gbit/s Si3N4-waveguide coupled germanium photodetector with improved quantum efficiency. Optics Letters Vol. 46, Issue 24, pp. 6019-6022 (2021) ,https://doi.org/10.1364/OL.438962
2. https://www.osapublishing.org/ol/fulltext.cfm?uri=ol-46-24-6019
3. https://www.osapublishing.org/spotlight/summary.cfm?id=465895