中芯國(guó)際：FinFET工藝已經(jīng)達(dá)產(chǎn)，每月1.5萬(wàn)片

  ICC訊  中芯國(guó)際發(fā)布二季度財(cái)報(bào)，2021年第二季度的銷(xiāo)售收入為13.4億美元，同比增長(zhǎng)43.2%。第二季度毛利為4.05億美元，同比增長(zhǎng) 62.9%。

  今日上午，中芯國(guó)際聯(lián)合首席執(zhí)行官趙海軍在二季度電話會(huì)議上表示，“我們的FinFET工藝已經(jīng)達(dá)產(chǎn)，每月1.5萬(wàn)片，客戶多樣化，不同的產(chǎn)品平臺(tái)都導(dǎo)入了。（這部分）產(chǎn)能處于緊俏狀態(tài)，客戶不斷進(jìn)來(lái)?！?

  在中芯國(guó)際財(cái)報(bào)中，以不同工藝劃分，28nm及FinFET工藝貢獻(xiàn)營(yíng)收占比上漲到了14.5%，其他工藝的收入占比分別為150/180nm (28.4%)、55/65nm (29.9%)、40/45nm (14.9%)、110/130nm (5.9%)、250/350nm (3.2%)、90nm (3.2%)。

  目前，臺(tái)積電、三星在5nm/7nm節(jié)點(diǎn)都采用FinFET結(jié)構(gòu)，而在下一世代3nm工藝的晶體管結(jié)構(gòu)選擇上，兩者出現(xiàn)分歧，三星選擇采用GAA結(jié)構(gòu)，臺(tái)積電則出于穩(wěn)健考慮，選擇在第一代3nm工藝?yán)^續(xù)沿用FinFET技術(shù)。