ICC訊 當?shù)貢r間 5 月 24 日,IC Insights 根據(jù)《麥克林報告》摘編稱,在過去 30 年中,DRAM 市場的特點是經(jīng)歷了驚人的增長時期和毀滅性的崩潰年份。近年來,DRAM 市場在 2019 年下跌 37%,但在 2021 年飆升 42%。無論是什么原因,“繁榮、蕭條”的周期使主要的 DRAM 供應商的數(shù)量從 1990 年代中期的 20 家降至現(xiàn)在的 6 家。2021 年,三家最大的供應商三星、SK 海力士和美光總共占有 94% 的 DRAM 市場份額??偛吭O在韓國的三星和 SK 海力士去年占了全球 DRAM 銷售的 71.3%。
報告稱,憑借 44% 的市場份額,三星在 2021 年仍然是全球最大的 DRAM 供應商,銷售額達到近 419 億美元。去年,三星在多個方面推進其 DRAM 業(yè)務,包括在 2020 年 3 月率先使用極紫外(EUV)光刻技術后,于 2021 年 10 月開始大規(guī)模生產(chǎn)基于 EUV 的 14nm DRAM。在此過程中,三星將其最先進的 14nm DDR5 上的 EUV 層數(shù)從兩層增加到了五層 DRAM 工藝。
2021 年 11 月,三星表示,其已經(jīng)應用 EUV 技術開發(fā)了 14nm 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率 5X (LPDDR5X) DRAM,專門用于 5G、人工智能 (AI)、機器學習 (ML) 和其他大數(shù)據(jù)終端應用等高速率應用。該公司聲稱,LPDDR5X DRAM 的數(shù)據(jù)處理速度最高可達 8.5Gbps (比現(xiàn)有的 6.4Gbps LPDDR5 器件快 1.3 倍),比 LPDDR5 內(nèi)存節(jié)省約 20% 的功耗。此外,該公司還發(fā)布了其首個支持新型計算快速鏈接 (Compute Express Link,CXL) 互連標準的 DRAM 內(nèi)存模塊,并發(fā)布了專為自主電動汽車和高性能信息娛樂系統(tǒng)設計的 2GB GDDR6 和 2GB DDR4 汽車 DRAM。
SK 海力士在 2021 年 DRAM 市場占有率為 28%,排在第二位,銷售額為 266 億美元,增長 39%。DRAM 占該公司 2021 年半導體總銷售額的約 71%,具體市場表現(xiàn)分別為:服務器 DRAM 占 40%;移動 DRAM 占 35%;PC DRAM 占 15%;消費類和顯卡 DRAM 各占 5%。2021 年,SK 海力士發(fā)布了據(jù)稱是業(yè)界最高性能的 DDR5 DRAM,其數(shù)據(jù)速度能夠每秒傳輸 163 部全高清電影。該芯片被稱為 HBM3,因為它是海力士的第三代高帶寬內(nèi)存。與三星一樣,SK 海力士也開始在以第 4 代 10nm 制程 (1a nm) 為基礎的 8Gb LPDDR4 DRAM 的批量生產(chǎn)中使用 EUV 光刻技術。
此外,美光在 2021 年是第三大 DRAM 供應商,DRAM 銷售額增長 41% 至 219 億美元,占全球市場份額的 23%。整體而言,DRAM 占美光全年 IC 總銷售額 300 億美元的 73% 左右。2021 年,美光推出了 1a nm 內(nèi)存節(jié)點。該節(jié)點由新的 CPU 平臺驅動,設計部分是為了支持數(shù)據(jù)中心向 DDR5 DRAM 的過渡,預計將在今年晚些時候開始發(fā)展,并在 2023 年獲得增長勢頭。美光的 1a nm DRAM 也被應用于低功率通信應用,包括 5G 智能手機。盡管該工藝不需要 EUV 光刻技術,但美光已經(jīng)訂購了 EUV 設備,并計劃從 2024 年開始使用其 1 伽馬 (1 gamma) 納米節(jié)點過渡到 EUV 技術來生產(chǎn) DRAM。