我國自主研發(fā)5G微基站射頻芯片獲得成功

  ICCSZ訊 隨著5G通信的逐步推進(jìn)，較高的頻率引發(fā)的技術(shù)新熱點(diǎn)也引起關(guān)注，商用樓宇和家庭室內(nèi)的信號補(bǔ)盲問題就是其中之一。3月3日，從南京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)獲悉，我國首個(gè)5G微基站射頻芯片YD9601，在南京宇都通訊科技有限公司經(jīng)過自主研發(fā)流片成功，目前正在進(jìn)行封裝測試。

  5G基站分為宏基站和微基站兩種。宏基站主要用于室外覆蓋，5G微基站主要用于室內(nèi)，發(fā)射功率較小(一般200毫瓦以內(nèi))，廣泛用于機(jī)場高鐵等候區(qū)域、商業(yè)場所、商業(yè)樓宇、學(xué)校醫(yī)院、園區(qū)工廠和社區(qū)家庭等場景。5G微基站可以以較低成本有效解決室內(nèi)覆蓋區(qū)域的容量(如機(jī)場、高鐵和商業(yè)場等熱點(diǎn)區(qū)域)和覆蓋問題(如商業(yè)樓宇和家庭)。

  “5G微基站射頻芯片項(xiàng)目是我們自主研發(fā)的有線射頻寬帶芯片組的拓展。”國家特聘專家、美國麻省理工學(xué)院博士王俊峰介紹說，在推出5G微基站射頻芯片之前，公司通過研發(fā)有線射頻寬帶HiNOC2.0芯片，擁有了長期的射頻芯片技術(shù)積累。

  據(jù)悉，HiNOC2.0是我國下一代有線射頻寬帶廣電接入標(biāo)準(zhǔn)，南京宇都HiNOC2.0射頻/基帶芯片組可實(shí)現(xiàn)600兆每秒的下行速率，完全可與國際巨頭的同類產(chǎn)品對標(biāo)。在中國廣播科學(xué)研究院進(jìn)行的標(biāo)準(zhǔn)測試中，搭載這組芯片的設(shè)備在85dB的線路衰耗下仍可接入，相比對標(biāo)的國際巨頭同類產(chǎn)品，抗衰減能力提升了10dB左右，這使其更能適應(yīng)國內(nèi)復(fù)雜、惡劣的網(wǎng)絡(luò)環(huán)境。2019年4月，中國工程院院士倪光南領(lǐng)銜的專家組對的HiiNOC2.0芯片組進(jìn)行技術(shù)鑒定，認(rèn)定該芯片組在系統(tǒng)性能上達(dá)到了國際同類產(chǎn)品的先進(jìn)水平，而其中射頻芯片部分性能優(yōu)于國際同類產(chǎn)品。

(圖為HiNOC2.0。圖片由受訪者提供)

  王俊峰介紹，YD9601不光覆蓋700MHz廣電頻段，也兼容了工信部2月初剛剛頒發(fā)許可的3.3-3.4GHz的電信/聯(lián)通/廣電共享室內(nèi)頻段，可以說是為5G時(shí)代室內(nèi)共享微基站量身定做的芯片。