新加坡AMF推出PIC多層波導(dǎo)硅基氮化硅集成平臺(tái)

  ICCSZ訊(編譯：Aiur) 新加坡先進(jìn)微晶圓廠(Advanced Micro Foundry，AMF)，一家從IME獨(dú)立出來(lái)的新興企業(yè)，專注于提供硅光子代工能力，宣布推出多層級(jí)硅基氮化硅(SiN-on-Si)的光子集成電路(PIC)平臺(tái)。該平臺(tái)實(shí)現(xiàn)了3D光子納米結(jié)構(gòu)的密集集成，該公司稱其可實(shí)現(xiàn)小尺寸、低損耗、性能升級(jí)和制造公差。

  AMF表示，SiN-on-Si方法改進(jìn)了硅光子常用的絕緣體上硅(SOI)。 SOI方法在最頂層的硅層上制成光波導(dǎo)，并在頂部集成不同的功能(可能使用不同的材料)。SOI方法已經(jīng)成功用于制作光收發(fā)器中的光學(xué)次模塊、有源光纜、醫(yī)學(xué)傳感器、光學(xué)雷達(dá)和其他應(yīng)用。

  不過(guò)，AMF CEO Dr. Tan Yong Tsong卻表示：“在其他產(chǎn)品中，例如超大規(guī)模(VLS)的光子集成電路要求高密集集成的片上光學(xué)路由網(wǎng)絡(luò)，其一個(gè)SOI平臺(tái)會(huì)受到單一波導(dǎo)層的限制。而與之相反，為了應(yīng)對(duì)不同且復(fù)雜的要求，具有更低光學(xué)損耗的多個(gè)波導(dǎo)層成為了客戶需求?！?

  AMF表示SiN-on-Si方法可以滿足這些新興需求，相比于標(biāo)準(zhǔn)硅，SiN波導(dǎo)提供更低光學(xué)損耗。其與包層氧化物的低折射率對(duì)比度也增加了制造公差，在陣列波導(dǎo)光柵(AWG)和其他架構(gòu)下可以充分使用。同時(shí)，AMF還補(bǔ)充到，SiN-on-Si方法可將高速調(diào)制器、鍺光電探測(cè)器和溫度可調(diào)器件被多個(gè)SiN波導(dǎo)集成在雙層SiN-Si或三層SiN-SiN-Si波導(dǎo)系統(tǒng)中。